等效電容AC2與編程晶體管柵源寄生電容并聯(lián)BCO均接零電壓
發(fā)布時間:2022/1/10 13:26:24 訪問次數(shù):284
BR7000系列新型功率因數(shù)控制器,其特點之一是能夠提供15個可編程繼電器輸出用于連接一相或三相功率因數(shù)校正(PFC)電容器。另有3個繼電器設(shè)計用于報警功能?勺詣舆M行初始化。各單獨菜單的導(dǎo)航得以簡化,并且集成了交互式幫助功能。
控制器可以通過RS485接口與計算機連接,從而方便編程和便于讀出獲取的數(shù)據(jù),如電壓、電流、無功功率、表觀功率、有功功率和其它網(wǎng)絡(luò)參數(shù)。
這些數(shù)據(jù)還可以圖形方式顯示——所需的軟件包含在產(chǎn)品中。
對模塊A進行擦除操作時,擦除端子接高壓Ve,耦合端子與編程端子接地,即等效電容AC2與編程晶體管柵源寄生電容并聯(lián),根據(jù)電容分壓原理.
電壓大部分降在擦除端子與浮柵兩端,當這部分電壓大到使之發(fā)生FN隧穿時,電子開始由浮柵FN隧穿泄放掉,且隨著這個過程的發(fā)生,浮柵上的電勢逐漸上升,并引起擦除晶體管兩端電壓下降,當這個電壓降到低于FN隧穿需要的最小值時,隧穿停止,擦除結(jié)束。
存儲單元的讀取操作不需要高電壓,擦除端子ER與耦合的端子ACO、BCO均接零電壓。
M21355四時鐘恢復(fù)器芯片具有自動速率檢測和一個16x4的輸入交叉點開關(guān),其數(shù)據(jù)速率為270至2,970 Mb/s,輸入抖動容限大于0.6UI。
MO源方面,公司除了在MO源2.0研發(fā)方面取得進展外,在高純、低硅低氧三甲基鋁方面加大研發(fā)力度,也取得了關(guān)鍵性的進展,為MO源業(yè)務(wù)從LED向 IC、新能源行業(yè)的升級轉(zhuǎn)型奠定基礎(chǔ)。
電子特氣方面,最新升級的超高純砷烷產(chǎn)品品質(zhì)在下游客戶的測試中已超過目前國際先進同行的技術(shù)水平,超高純磷烷產(chǎn)品進入國際一流制程的芯片企業(yè),標志著公司氫類電子特氣已躍居世界前列。
(素材來源:21ic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
BR7000系列新型功率因數(shù)控制器,其特點之一是能夠提供15個可編程繼電器輸出用于連接一相或三相功率因數(shù)校正(PFC)電容器。另有3個繼電器設(shè)計用于報警功能?勺詣舆M行初始化。各單獨菜單的導(dǎo)航得以簡化,并且集成了交互式幫助功能。
控制器可以通過RS485接口與計算機連接,從而方便編程和便于讀出獲取的數(shù)據(jù),如電壓、電流、無功功率、表觀功率、有功功率和其它網(wǎng)絡(luò)參數(shù)。
這些數(shù)據(jù)還可以圖形方式顯示——所需的軟件包含在產(chǎn)品中。
對模塊A進行擦除操作時,擦除端子接高壓Ve,耦合端子與編程端子接地,即等效電容AC2與編程晶體管柵源寄生電容并聯(lián),根據(jù)電容分壓原理.
電壓大部分降在擦除端子與浮柵兩端,當這部分電壓大到使之發(fā)生FN隧穿時,電子開始由浮柵FN隧穿泄放掉,且隨著這個過程的發(fā)生,浮柵上的電勢逐漸上升,并引起擦除晶體管兩端電壓下降,當這個電壓降到低于FN隧穿需要的最小值時,隧穿停止,擦除結(jié)束。
存儲單元的讀取操作不需要高電壓,擦除端子ER與耦合的端子ACO、BCO均接零電壓。
M21355四時鐘恢復(fù)器芯片具有自動速率檢測和一個16x4的輸入交叉點開關(guān),其數(shù)據(jù)速率為270至2,970 Mb/s,輸入抖動容限大于0.6UI。
MO源方面,公司除了在MO源2.0研發(fā)方面取得進展外,在高純、低硅低氧三甲基鋁方面加大研發(fā)力度,也取得了關(guān)鍵性的進展,為MO源業(yè)務(wù)從LED向 IC、新能源行業(yè)的升級轉(zhuǎn)型奠定基礎(chǔ)。
電子特氣方面,最新升級的超高純砷烷產(chǎn)品品質(zhì)在下游客戶的測試中已超過目前國際先進同行的技術(shù)水平,超高純磷烷產(chǎn)品進入國際一流制程的芯片企業(yè),標志著公司氫類電子特氣已躍居世界前列。
(素材來源:21ic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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