45納米技術(shù)還有效的改善了功耗，與上一代Snapdragon產(chǎn)品相比，動態(tài)功耗降低了30%,待機功耗低于10mW，達到前所未有的水平。

拓展其Snapdragon平臺，下一代芯片組產(chǎn)品將采用45納米的處理技術(shù)，從而為基于Snapdragon的智能手機和smartbook提供更快的處理速度、更長的電池壽命和其它增強的用戶體驗。

QSD8650A芯片組提供了超高集成度。除更快的處理器和總線速度外，新QSD8650A芯片組也提供UMTS與CDMA 3G多模移動寬帶連接功能，并與現(xiàn)有Snapdragon芯片組一樣使用15x15mm的封裝尺寸。

特性混合中等功率解決方案大電流承載能力，外形小巧每電源刀片高達20A2至10個電源刀片（2mm間距）6至140個信號引腳（0.8mm間距）可靠的4點電源觸點設計信號速度高達12Gb/s5mm至20mm堆疊高度（1mm增量）防斜插外殼具有±0.9mm偏移容差，支持盲插和自動裝配外殼采用金屬固定，可實現(xiàn)較高PCB保持力高溫LCP材料支持工作溫度高達+125°C滿足USCAR-2 V2沖擊和振動要求無鉛、無鹵符合RoHS指令

新Snapdragon QSD8650A芯片組預計于2009年底前出樣，該芯片組實現(xiàn)了多項重大的性能提升包括處理能力增強30%的1.3 GHz處理器、增強的多媒體以及2D/3D圖形功能。

該轉(zhuǎn)換器的額定功率為6W，工作輸入電壓范圍為2:1，分別為9~18 Vdc、18~36 V dc和36~72 V dc。這些器件可提供5、12Vdc單輸出電壓和±12和±15 V dc雙輸出電壓。

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