碳化硅(SiC)初級(jí)開(kāi)關(guān)MOSFET的汽車(chē)級(jí)開(kāi)關(guān)電源IC
發(fā)布時(shí)間:2022/2/22 21:13:37 訪問(wèn)次數(shù):1019
在一定的壓力下,當(dāng)原液流過(guò)膜表面時(shí),膜表面密布的許多細(xì)小的微孔只允許水及小分子物質(zhì)通過(guò)而成為透過(guò)液,而原液中體積大于膜表面微孔徑的物質(zhì)則被截留在膜的進(jìn)液側(cè),成為濃縮液,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)原液進(jìn)行分離和濃縮的目的。
可采用不同截留分子量的超濾膜技術(shù)進(jìn)行酶試劑、硫酸軟骨素、氨基酸、多肽、果汁、動(dòng)植物提取液、多糖、生物發(fā)酵制劑、中藥、蛋白質(zhì)類(lèi)等物料的分離與濃縮。
膜濃縮是一種改革傳統(tǒng)工藝實(shí)現(xiàn)高效純化濃縮的技術(shù),膜濃縮設(shè)備利用有效成分與液體的分子量的不同實(shí)現(xiàn)定向分離,達(dá)到濃縮的效果。
在參數(shù)選擇得合適時(shí),使這種補(bǔ)償作用比較恰當(dāng),基本上保持交流勵(lì)磁機(jī)的電流放大系數(shù)不隨溫度變化。帶旋轉(zhuǎn)整流器的交流勵(lì)磁機(jī)的這一特點(diǎn),使得主發(fā)電機(jī)的勵(lì)磁繞組不需要采取額外的溫度補(bǔ)償措施。
因?yàn)楫?dāng)發(fā)電機(jī)溫度變化時(shí),盡管主發(fā)電機(jī)勵(lì)磁繞組電阻馬變化很大,但由于交流勵(lì)磁機(jī)的電流放大系數(shù)塢基本不變,交流勵(lì)磁機(jī)勵(lì)磁電流△的數(shù)值只與主發(fā)電機(jī)負(fù)載電流有關(guān),基本上與發(fā)電機(jī)的溫度無(wú)關(guān)。
不需要額外地增大交流勵(lì)磁機(jī)勵(lì)磁電流的變化范圍,就可以保持主發(fā)電機(jī)電壓基本不變,這就減輕了調(diào)壓器的負(fù)擔(dān)。
碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料。與普通的硅材料相比,碳化硅的優(yōu)勢(shì)非常突出,它不僅克服了普通硅材料的某些缺點(diǎn),更是在功耗上有著出色的表現(xiàn),因而成為了電力電子領(lǐng)域目前最具前景的半導(dǎo)體材料。而此次PI推出的全新IC,正是基于碳化硅而設(shè)計(jì)的。
InnoSwitch3-AQ 1700V器件是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級(jí)開(kāi)關(guān)MOSFET的汽車(chē)級(jí)開(kāi)關(guān)電源IC,可以提供高達(dá)70W的輸出功率,主要用于600V和800V純電池和燃料電池乘用車(chē),以及電動(dòng)巴士、卡車(chē)和各種工業(yè)電源應(yīng)用。
在一定的壓力下,當(dāng)原液流過(guò)膜表面時(shí),膜表面密布的許多細(xì)小的微孔只允許水及小分子物質(zhì)通過(guò)而成為透過(guò)液,而原液中體積大于膜表面微孔徑的物質(zhì)則被截留在膜的進(jìn)液側(cè),成為濃縮液,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)原液進(jìn)行分離和濃縮的目的。
可采用不同截留分子量的超濾膜技術(shù)進(jìn)行酶試劑、硫酸軟骨素、氨基酸、多肽、果汁、動(dòng)植物提取液、多糖、生物發(fā)酵制劑、中藥、蛋白質(zhì)類(lèi)等物料的分離與濃縮。
膜濃縮是一種改革傳統(tǒng)工藝實(shí)現(xiàn)高效純化濃縮的技術(shù),膜濃縮設(shè)備利用有效成分與液體的分子量的不同實(shí)現(xiàn)定向分離,達(dá)到濃縮的效果。
在參數(shù)選擇得合適時(shí),使這種補(bǔ)償作用比較恰當(dāng),基本上保持交流勵(lì)磁機(jī)的電流放大系數(shù)不隨溫度變化。帶旋轉(zhuǎn)整流器的交流勵(lì)磁機(jī)的這一特點(diǎn),使得主發(fā)電機(jī)的勵(lì)磁繞組不需要采取額外的溫度補(bǔ)償措施。
因?yàn)楫?dāng)發(fā)電機(jī)溫度變化時(shí),盡管主發(fā)電機(jī)勵(lì)磁繞組電阻馬變化很大,但由于交流勵(lì)磁機(jī)的電流放大系數(shù)塢基本不變,交流勵(lì)磁機(jī)勵(lì)磁電流△的數(shù)值只與主發(fā)電機(jī)負(fù)載電流有關(guān),基本上與發(fā)電機(jī)的溫度無(wú)關(guān)。
不需要額外地增大交流勵(lì)磁機(jī)勵(lì)磁電流的變化范圍,就可以保持主發(fā)電機(jī)電壓基本不變,這就減輕了調(diào)壓器的負(fù)擔(dān)。
碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料。與普通的硅材料相比,碳化硅的優(yōu)勢(shì)非常突出,它不僅克服了普通硅材料的某些缺點(diǎn),更是在功耗上有著出色的表現(xiàn),因而成為了電力電子領(lǐng)域目前最具前景的半導(dǎo)體材料。而此次PI推出的全新IC,正是基于碳化硅而設(shè)計(jì)的。
InnoSwitch3-AQ 1700V器件是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級(jí)開(kāi)關(guān)MOSFET的汽車(chē)級(jí)開(kāi)關(guān)電源IC,可以提供高達(dá)70W的輸出功率,主要用于600V和800V純電池和燃料電池乘用車(chē),以及電動(dòng)巴士、卡車(chē)和各種工業(yè)電源應(yīng)用。
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