線程在臨界區(qū)內(nèi)執(zhí)行效率和數(shù)據(jù)傳輸速度將提高30%

發(fā)布時間:2022/2/23 12:36:47 訪問次數(shù):502

三星曾計劃在去年年末量產(chǎn)176層NAND，但目前已經(jīng)推遲到了今年第一季度。

對比三星的NAND技術(shù)，美光稍稍領(lǐng)先，已經(jīng)開始量產(chǎn)176層NAND。三星加快200層以上NAND閃存量產(chǎn)的部分，也是為了奪回被美光奪走的技術(shù)領(lǐng)先地位。三星將在128層的單片存儲器上疊加96層，推出224層的NAND閃存。與176層相比，224層NAND閃存的生產(chǎn)效率和數(shù)據(jù)傳輸速度將提高30%。

在技術(shù)研發(fā)上，SK海力士和美光也毫不退讓。在2019年SK海力士發(fā)布的技術(shù)路線圖中，SK海力士2020年計劃實現(xiàn)176層研發(fā)。

在PLC的輸入端口，有不少光耦隔離，包括飛兆半導(dǎo)體的光耦（HCPL0453），NEC的光耦（PS2805-4），不同于飛兆半導(dǎo)體的兩個光耦，NEC的光耦主要用于高隔離電壓。

據(jù)外媒報導(dǎo)，截至去年第三季，英偉達預(yù)付款已達69億美元，去年第四季再支付16.4億美元，截至今年第一季累計已支付超過100億美元，以確保RTX 4080、4090及其他RTX 40系列5納米產(chǎn)能。

英飛凌IGBT芯片和IGBT模組的市場份額分別為29.3%和36.5%，遠超第二名富士電機15.6%和11.4%的市場份額。至于IPM產(chǎn)品，英飛凌的市場份額為11.6%，排在三菱和安森美之后。

線程鎖通過一個互斥鎖＋條件變量實現(xiàn)�；コ怄i(類型為pthread一mteut）用于保護代碼臨界區(qū),從而保證任何時刻只有一個線程在臨界區(qū)內(nèi)執(zhí)行。

英飛凌的IPC部門主要包括IGBT芯片及模組與IPM（智能功率模塊）產(chǎn)品。

當(dāng)一個線程獲得某個互斥鎖后,需要等待某個條件變?yōu)檎?也就是該線程可以等待在某個條件變量(類型為pthreadcondt）上。該條件變量由另外某個線程向它發(fā)送信號,通常以廣播方式(pthreadcondbroadcaSt）喚醒所有等待狀態(tài)的線程。

三星曾計劃在去年年末量產(chǎn)176層NAND，但目前已經(jīng)推遲到了今年第一季度。

在技術(shù)研發(fā)上，SK海力士和美光也毫不退讓。在2019年SK海力士發(fā)布的技術(shù)路線圖中，SK海力士2020年計劃實現(xiàn)176層研發(fā)。

英飛凌的IPC部門主要包括IGBT芯片及模組與IPM（智能功率模塊）產(chǎn)品。

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