從零開始設(shè)計解決AR/VR高側(cè)和低側(cè)MOSFET同時導(dǎo)通
發(fā)布時間:2022/2/25 8:56:04 訪問次數(shù):928
新3D系列的首款產(chǎn)品是VD55H1。該傳感器能通過感測50多萬個點的距離,進(jìn)行3D成像。距離傳感器5米范圍內(nèi)的物體都被能檢測到,通過圖案照明系統(tǒng)甚至可以檢測到更遠(yuǎn)物體。VD55H1可以解決AR/VR新興市場的使用場景問題,包括房間圖像、游戲和 3D化身。
在智能手機(jī)中,新傳感器可以增強(qiáng)相機(jī)系統(tǒng)的功能,包括散景效果、多相機(jī)選擇和視頻分割。
更高分辨率和更準(zhǔn)確的 3D圖像還能提高人臉認(rèn)證的安全性,更好地保護(hù)手機(jī)解鎖、移動支付以及任何涉及安全交易和訪問控制的智能系統(tǒng)。
MCU是ST基于Arm®內(nèi)核的Stellar微控制器產(chǎn)品家族的延伸,在開發(fā)過程中即將汽車作為目標(biāo)平臺,從零開始設(shè)計。作為功能強(qiáng)大的集中式區(qū)域控制器,該系列簡化了汽車電氣架構(gòu),能夠提高功率、設(shè)計靈活性和安全性。目前,Stellar產(chǎn)品家族包括用于提高集成度和開發(fā)車輛控制器的Stellar P系列和用于開發(fā)車身控制應(yīng)用的Stellar G系列。Stellar產(chǎn)品家族架構(gòu)集成了多個Arm Cortex處理器內(nèi)核,這些內(nèi)核可以提供高處理性能和配置鎖步冗余的機(jī)會,并支持實時硬件虛擬化。
Stellar全系產(chǎn)品都可以通過安全無線 (OTA) 更新功能升級軟件。
DGD0579U高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器。這款高頻裝置內(nèi)建自舉式二極管,能夠在半橋配置中驅(qū)動兩個通常用于控制馬達(dá)及DC-DC電力傳輸?shù)腘 通道MOSFET。可鎖定無線電動工具、電動自行車和自動操作機(jī)器人設(shè)備等高功率產(chǎn)品應(yīng)用項目,可提升效率并縮小體積,滿足與日俱增的市場要求。
裝置直接內(nèi)建先進(jìn)的MOSFET保護(hù)機(jī)制,與傳統(tǒng)的獨立式解決方案相比,此舉提高了系統(tǒng)可靠性、優(yōu)化調(diào)整使用電路板空間的情況,還進(jìn)一步減少了組件數(shù)量。這些機(jī)制包括防止交叉?zhèn)鲗?dǎo),可避免高側(cè)和低側(cè)MOSFET同時導(dǎo)通;以及欠壓鎖定(UVLO)功能,可用于解決潛在電源損耗。
新3D系列的首款產(chǎn)品是VD55H1。該傳感器能通過感測50多萬個點的距離,進(jìn)行3D成像。距離傳感器5米范圍內(nèi)的物體都被能檢測到,通過圖案照明系統(tǒng)甚至可以檢測到更遠(yuǎn)物體。VD55H1可以解決AR/VR新興市場的使用場景問題,包括房間圖像、游戲和 3D化身。
在智能手機(jī)中,新傳感器可以增強(qiáng)相機(jī)系統(tǒng)的功能,包括散景效果、多相機(jī)選擇和視頻分割。
更高分辨率和更準(zhǔn)確的 3D圖像還能提高人臉認(rèn)證的安全性,更好地保護(hù)手機(jī)解鎖、移動支付以及任何涉及安全交易和訪問控制的智能系統(tǒng)。
MCU是ST基于Arm®內(nèi)核的Stellar微控制器產(chǎn)品家族的延伸,在開發(fā)過程中即將汽車作為目標(biāo)平臺,從零開始設(shè)計。作為功能強(qiáng)大的集中式區(qū)域控制器,該系列簡化了汽車電氣架構(gòu),能夠提高功率、設(shè)計靈活性和安全性。目前,Stellar產(chǎn)品家族包括用于提高集成度和開發(fā)車輛控制器的Stellar P系列和用于開發(fā)車身控制應(yīng)用的Stellar G系列。Stellar產(chǎn)品家族架構(gòu)集成了多個Arm Cortex處理器內(nèi)核,這些內(nèi)核可以提供高處理性能和配置鎖步冗余的機(jī)會,并支持實時硬件虛擬化。
Stellar全系產(chǎn)品都可以通過安全無線 (OTA) 更新功能升級軟件。
DGD0579U高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器。這款高頻裝置內(nèi)建自舉式二極管,能夠在半橋配置中驅(qū)動兩個通常用于控制馬達(dá)及DC-DC電力傳輸?shù)腘 通道MOSFET。可鎖定無線電動工具、電動自行車和自動操作機(jī)器人設(shè)備等高功率產(chǎn)品應(yīng)用項目,可提升效率并縮小體積,滿足與日俱增的市場要求。
裝置直接內(nèi)建先進(jìn)的MOSFET保護(hù)機(jī)制,與傳統(tǒng)的獨立式解決方案相比,此舉提高了系統(tǒng)可靠性、優(yōu)化調(diào)整使用電路板空間的情況,還進(jìn)一步減少了組件數(shù)量。這些機(jī)制包括防止交叉?zhèn)鲗?dǎo),可避免高側(cè)和低側(cè)MOSFET同時導(dǎo)通;以及欠壓鎖定(UVLO)功能,可用于解決潛在電源損耗。
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