3D圖像傳感器雙脈沖測(cè)試或?qū)霕蜻B接到現(xiàn)有LC電源段
發(fā)布時(shí)間:2022/6/14 23:07:01 訪問(wèn)次數(shù):334
在面向移動(dòng)消費(fèi)終端的3D傳感器領(lǐng)域,英飛凌一直處于領(lǐng)先地位。憑借這一優(yōu)勢(shì),我們將3D傳感器的應(yīng)用范圍拓展到了汽車(chē)領(lǐng)域,為汽車(chē)產(chǎn)業(yè)提供高分辨率圖像傳感器。
這款產(chǎn)品可在汽車(chē)中實(shí)現(xiàn)與移動(dòng)消費(fèi)終端一樣的功能,同時(shí)始終滿足車(chē)規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn),甚至能夠提高被動(dòng)安全,可靠且安全的面部識(shí)別,允許無(wú)縫接入任何需要身份認(rèn)證的服務(wù),比如支付,電池充電或訪問(wèn)私人數(shù)據(jù)等。
除此之外,這款3D圖像傳感器也使得車(chē)載攝像頭可以滿足駕駛員狀態(tài)監(jiān)測(cè)所提出的各種要求,準(zhǔn)確判斷駕駛員是否存在分心、疲勞等危險(xiǎn)駕駛行為。這樣一來(lái),僅需一個(gè)ToF攝像頭,即可打造出能夠安全地進(jìn)行3D面部識(shí)別的駕駛員狀態(tài)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)。
如果電氣或電子系統(tǒng)發(fā)生故障,則某些應(yīng)用具有更高的固有安全風(fēng)險(xiǎn)。根據(jù)潛在傷害的嚴(yán)重程度和發(fā)生概率以及可控程度,分為A到D四個(gè)級(jí)別,每個(gè)級(jí)別都對(duì)底層組件有相關(guān)的安全要求。
GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD板具有兩個(gè)HEY1011-L12C GaN FET驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)半橋配置的650V、60A GaN增強(qiáng)模式晶體管。
為了幫助緩解柵漏電容電流的影響,GS-EVB-HB-0650603B-HD采用了雙極柵驅(qū)動(dòng)裝置。該板可以執(zhí)行雙脈沖測(cè)試或?qū)霕蜻B接到現(xiàn)有LC電源段。
通過(guò)PMBus®或使用外部電阻器設(shè)置輸出電壓。并聯(lián)模塊之間實(shí)行回發(fā)通道通信,使多個(gè)模塊可以用單個(gè)地址表示,簡(jiǎn)化了系統(tǒng)軟件設(shè)計(jì)。
射頻收發(fā)器,精密模擬電路,白光LED背光驅(qū)動(dòng)、雪崩光電二極管(APD)的偏置電路等。這就需要采用DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器來(lái)向上轉(zhuǎn)換到所需的電壓,讓設(shè)備既節(jié)能又高效的工作。
為滿足低壓應(yīng)用中的某些特定的較高電壓需求,升壓DC-DC穩(wěn)壓器將低輸入電壓轉(zhuǎn)換為高輸出電壓,典型電路組成包括:電感器、功率MOSFET、整流二極管、控制IC、輸入和輸出電容器。
在面向移動(dòng)消費(fèi)終端的3D傳感器領(lǐng)域,英飛凌一直處于領(lǐng)先地位。憑借這一優(yōu)勢(shì),我們將3D傳感器的應(yīng)用范圍拓展到了汽車(chē)領(lǐng)域,為汽車(chē)產(chǎn)業(yè)提供高分辨率圖像傳感器。
這款產(chǎn)品可在汽車(chē)中實(shí)現(xiàn)與移動(dòng)消費(fèi)終端一樣的功能,同時(shí)始終滿足車(chē)規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn),甚至能夠提高被動(dòng)安全,可靠且安全的面部識(shí)別,允許無(wú)縫接入任何需要身份認(rèn)證的服務(wù),比如支付,電池充電或訪問(wèn)私人數(shù)據(jù)等。
除此之外,這款3D圖像傳感器也使得車(chē)載攝像頭可以滿足駕駛員狀態(tài)監(jiān)測(cè)所提出的各種要求,準(zhǔn)確判斷駕駛員是否存在分心、疲勞等危險(xiǎn)駕駛行為。這樣一來(lái),僅需一個(gè)ToF攝像頭,即可打造出能夠安全地進(jìn)行3D面部識(shí)別的駕駛員狀態(tài)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)。
如果電氣或電子系統(tǒng)發(fā)生故障,則某些應(yīng)用具有更高的固有安全風(fēng)險(xiǎn)。根據(jù)潛在傷害的嚴(yán)重程度和發(fā)生概率以及可控程度,分為A到D四個(gè)級(jí)別,每個(gè)級(jí)別都對(duì)底層組件有相關(guān)的安全要求。
GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD板具有兩個(gè)HEY1011-L12C GaN FET驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)半橋配置的650V、60A GaN增強(qiáng)模式晶體管。
為了幫助緩解柵漏電容電流的影響,GS-EVB-HB-0650603B-HD采用了雙極柵驅(qū)動(dòng)裝置。該板可以執(zhí)行雙脈沖測(cè)試或?qū)霕蜻B接到現(xiàn)有LC電源段。
通過(guò)PMBus®或使用外部電阻器設(shè)置輸出電壓。并聯(lián)模塊之間實(shí)行回發(fā)通道通信,使多個(gè)模塊可以用單個(gè)地址表示,簡(jiǎn)化了系統(tǒng)軟件設(shè)計(jì)。
射頻收發(fā)器,精密模擬電路,白光LED背光驅(qū)動(dòng)、雪崩光電二極管(APD)的偏置電路等。這就需要采用DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器來(lái)向上轉(zhuǎn)換到所需的電壓,讓設(shè)備既節(jié)能又高效的工作。
為滿足低壓應(yīng)用中的某些特定的較高電壓需求,升壓DC-DC穩(wěn)壓器將低輸入電壓轉(zhuǎn)換為高輸出電壓,典型電路組成包括:電感器、功率MOSFET、整流二極管、控制IC、輸入和輸出電容器。
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