1.2GHz到1.4GHz頻率帶來達(dá)500W的突破性的RF輸出功率
發(fā)布時(shí)間:2022/6/27 20:24:08 訪問次數(shù):81
NUS6189新器件，將過壓保護(hù)(OVP)電路的性能和功能、30V P溝道功率MOSFET、低飽和電壓(VCE(sat))晶體管和低導(dǎo)通阻抗(Rds(on))功率MOSFET集成到節(jié)省空間的一個(gè)3.0mmx4.0mmx0.9mm封裝之中。
這器件的過壓關(guān)閉時(shí)間短于1.0微秒,在故障發(fā)生時(shí)會(huì)極快地?cái)嚅_輸入電源與負(fù)載之間的連接，因此它比現(xiàn)有關(guān)閉較慢的解決方案能提供更優(yōu)異的保護(hù)性能。
FlexRay收發(fā)器產(chǎn)品根據(jù)FlexRay電氣物理層規(guī)范V2.1 Rev B而設(shè)計(jì)，并提供增強(qiáng)性能。有助于優(yōu)化受限的FlexRay系統(tǒng)參數(shù)，從而為下一代車載網(wǎng)絡(luò)提供最高的可靠性。
憑借其無可比擬的抗擾特性及在提高FlexRay網(wǎng)絡(luò)穩(wěn)定性上的突出表現(xiàn)，AS8221已在FlexRay用戶中享有盛譽(yù)。
TSH122通過包含6階重構(gòu)濾波器用于DAC采樣模糊衰減，節(jié)約了成本和電路板空間。
內(nèi)部增益設(shè)置電阻進(jìn)一步降低了器件數(shù)與電路板。還可以在輸出實(shí)現(xiàn)SAG校準(zhǔn)，允許使用較小的耦合電容。器件在緊湊的2.2x2.4mm SC70-6(SOT323-6)封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)了高級(jí)別集成度，最大化了PCB空間，使設(shè)計(jì)人員可以實(shí)現(xiàn)更多特性或降低最終產(chǎn)品的尺寸。
NUS6189新器件，將過壓保護(hù)(OVP)電路的性能和功能、30V P溝道功率MOSFET、低飽和電壓(VCE(sat))晶體管和低導(dǎo)通阻抗(Rds(on))功率MOSFET集成到節(jié)省空間的一個(gè)3.0mmx4.0mmx0.9mm封裝之中。
這器件的過壓關(guān)閉時(shí)間短于1.0微秒,在故障發(fā)生時(shí)會(huì)極快地?cái)嚅_輸入電源與負(fù)載之間的連接，因此它比現(xiàn)有關(guān)閉較慢的解決方案能提供更優(yōu)異的保護(hù)性能。
FlexRay收發(fā)器產(chǎn)品根據(jù)FlexRay電氣物理層規(guī)范V2.1 Rev B而設(shè)計(jì)，并提供增強(qiáng)性能。有助于優(yōu)化受限的FlexRay系統(tǒng)參數(shù)，從而為下一代車載網(wǎng)絡(luò)提供最高的可靠性。
憑借其無可比擬的抗擾特性及在提高FlexRay網(wǎng)絡(luò)穩(wěn)定性上的突出表現(xiàn)，AS8221已在FlexRay用戶中享有盛譽(yù)。
TSH122通過包含6階重構(gòu)濾波器用于DAC采樣模糊衰減，節(jié)約了成本和電路板空間。
內(nèi)部增益設(shè)置電阻進(jìn)一步降低了器件數(shù)與電路板。還可以在輸出實(shí)現(xiàn)SAG校準(zhǔn)，允許使用較小的耦合電容。器件在緊湊的2.2x2.4mm SC70-6(SOT323-6)封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)了高級(jí)別集成度，最大化了PCB空間，使設(shè)計(jì)人員可以實(shí)現(xiàn)更多特性或降低最終產(chǎn)品的尺寸。
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