4字節(jié)突發(fā)讀寫操作總線速度高于其他非易失性存儲器
發(fā)布時間:2022/6/28 21:36:44 訪問次數(shù):210
RDS(ON)僅為0.13Ω(N溝道低端FET)和0.15Ω(P溝道高端FET)的內(nèi)部開關(guān),提供高達(dá)95%的效率。它還運(yùn)用低壓差100%占空比工作,以允許輸出電壓等于VIN,從而進(jìn)一步延長電池工作時間。LTC3565以自動低紋波(<25mVPK-PK)突發(fā)模式(Burst Mode)工作,提供僅為40uA的無負(fù)載靜態(tài)電流。
如果是噪聲敏感的應(yīng)用,那么可以不使用突發(fā)模式,而采用更低噪聲的脈沖跳躍模式,這仍然能提供僅為330uA的靜態(tài)電流。LTC3565在整個頻率范圍內(nèi)都可以同步至外部時鐘。其它特點(diǎn)包括±2%的輸出電壓準(zhǔn)確度和過熱保護(hù)。
除了電氣火災(zāi)、靜電、雷電、電磁等安全隱患外,電工的T∶作環(huán)境中還容易出現(xiàn)各類突發(fā)事件。
因此,電T在進(jìn)行作業(yè)時,盡量避免離開下作人員的視線,同時懸掛標(biāo)示牌或者裝設(shè)遮攔以做到提示的作用,如懸掛“禁止合閘”的標(biāo)示牌,表示電工作業(yè)中,禁止對電氣設(shè)備合閘接通電流i電氣設(shè)備一般不能受潮,如果必須要在潮濕或下雨的天氣下進(jìn)行作業(yè),電工需對電氣設(shè)備進(jìn)行防雨水和防潮措施而電氣設(shè)各工作時會發(fā)熱,也容易產(chǎn)生工作環(huán)境中的安全隱患,需要有良好的通風(fēng)散熱的條件。
為排除下作環(huán)境中的安全隱患,所有電氣設(shè)備的金屬外殼應(yīng)有可靠的保護(hù)接地措施,避免電工在工作環(huán)境中觸電事故的發(fā)生。
4M FRAM是標(biāo)準(zhǔn)異步SRAM的直接取代品,但性能遠(yuǎn)超過SRAM,無需電池即可備份數(shù)據(jù),由于其整體結(jié)構(gòu)可靠性更高。FM22LD16是真正的表面貼裝解決方案,無需返工步驟來貼附電池,且與帶備用電池的SRAM不同,F(xiàn)M22LD16為高度防潮、抗振動和震動器件。
FM22LD16具有與目前高效能微處理器連接的方便接口,具有高速頁模式,可在40MHz頻率下實現(xiàn)4字節(jié)突發(fā)讀寫操作,總線速度明顯高于其他非易失性存儲器。
FM22LD16與相同密度的非易失性存儲器相比,工作電流較低,讀寫操作時工作電流為8毫安,待機(jī)電流為90微安。FM22LD16工作電壓為2.7至3.6V,可在-40°C至+85°C的工業(yè)溫度范圍工作。
RDS(ON)僅為0.13Ω(N溝道低端FET)和0.15Ω(P溝道高端FET)的內(nèi)部開關(guān),提供高達(dá)95%的效率。它還運(yùn)用低壓差100%占空比工作,以允許輸出電壓等于VIN,從而進(jìn)一步延長電池工作時間。LTC3565以自動低紋波(<25mVPK-PK)突發(fā)模式(Burst Mode)工作,提供僅為40uA的無負(fù)載靜態(tài)電流。
如果是噪聲敏感的應(yīng)用,那么可以不使用突發(fā)模式,而采用更低噪聲的脈沖跳躍模式,這仍然能提供僅為330uA的靜態(tài)電流。LTC3565在整個頻率范圍內(nèi)都可以同步至外部時鐘。其它特點(diǎn)包括±2%的輸出電壓準(zhǔn)確度和過熱保護(hù)。
除了電氣火災(zāi)、靜電、雷電、電磁等安全隱患外,電工的T∶作環(huán)境中還容易出現(xiàn)各類突發(fā)事件。
因此,電T在進(jìn)行作業(yè)時,盡量避免離開下作人員的視線,同時懸掛標(biāo)示牌或者裝設(shè)遮攔以做到提示的作用,如懸掛“禁止合閘”的標(biāo)示牌,表示電工作業(yè)中,禁止對電氣設(shè)備合閘接通電流i電氣設(shè)備一般不能受潮,如果必須要在潮濕或下雨的天氣下進(jìn)行作業(yè),電工需對電氣設(shè)備進(jìn)行防雨水和防潮措施而電氣設(shè)各工作時會發(fā)熱,也容易產(chǎn)生工作環(huán)境中的安全隱患,需要有良好的通風(fēng)散熱的條件。
為排除下作環(huán)境中的安全隱患,所有電氣設(shè)備的金屬外殼應(yīng)有可靠的保護(hù)接地措施,避免電工在工作環(huán)境中觸電事故的發(fā)生。
4M FRAM是標(biāo)準(zhǔn)異步SRAM的直接取代品,但性能遠(yuǎn)超過SRAM,無需電池即可備份數(shù)據(jù),由于其整體結(jié)構(gòu)可靠性更高。FM22LD16是真正的表面貼裝解決方案,無需返工步驟來貼附電池,且與帶備用電池的SRAM不同,F(xiàn)M22LD16為高度防潮、抗振動和震動器件。
FM22LD16具有與目前高效能微處理器連接的方便接口,具有高速頁模式,可在40MHz頻率下實現(xiàn)4字節(jié)突發(fā)讀寫操作,總線速度明顯高于其他非易失性存儲器。
FM22LD16與相同密度的非易失性存儲器相比,工作電流較低,讀寫操作時工作電流為8毫安,待機(jī)電流為90微安。FM22LD16工作電壓為2.7至3.6V,可在-40°C至+85°C的工業(yè)溫度范圍工作。
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