4Gb DDR3可制成用于服務(wù)器的16GB RDIMM雙列直插模塊,以及用于工作站和臺式機的8GB UDIMM，用于筆記本電腦的8GB小型DIMM。通過采用雙晶片封裝技術(shù)，這中新器件可提供高達32GB的容量的存儲器模塊——比基于以前最高芯片密度（2Gb）存儲器的容量高出一倍。

4Gb DDR3 DRAM設(shè)計為低功耗,工作電壓為1.35V,比1.5V的DDR3提高了20%的吞吐量。最高速度為1.6GB/秒。

16GB模塊配置中,4Gb DDR3的能耗要比2Gb DDR3模塊的低40%，這是因為其具有更高的密度，且僅使用了一半數(shù)量的DRAM芯片(32與64之比)。

由于轉(zhuǎn)為采用50納米級工藝制造高密度DDR3,三星力求維護其在高容量/高效能DRAN產(chǎn)品上領(lǐng)導地位。

系統(tǒng)簡圖手冊(System Schematic Manual,SSM)是波音手冊,手冊展示了飛機機載系統(tǒng)的配置、功能、電子、電氣部件工作原理、機械部件工作原理、組件位置,可用于飛機的排故及日常維護人員的培訓。

飛機簡圖手冊(Aircraft Schematic Mamual,ASM)是空客手冊,手冊以系統(tǒng)方塊圖、系統(tǒng)簡圖、系統(tǒng)簡化簡圖的形式展示了電子、電氣部件的工作原理、系統(tǒng)配置、功能、電路操作、邏輯關(guān)系,可用于飛機電子、電氣系統(tǒng)的排故及日常維護人員的培訓。

執(zhí)行高空作業(yè)時若發(fā)現(xiàn)意外,馬上停止一切作業(yè),立即上報。

發(fā)動機安全區(qū)域,發(fā)動機在地面試車和啟動時的危險區(qū)域有:進氣道危險區(qū)、排氣危險區(qū)和噪聲危險區(qū)。

進氣道危險區(qū)會將人或地面污染物吸人發(fā)動機內(nèi);排氣具有高速、高溫和氣體污染的特點,此危險區(qū)會對人和設(shè)備造成危害;噪聲危險區(qū)內(nèi)長時間停留會對人的聽力造成損害,所以應(yīng)帶上護耳裝備。