嵌入式存儲在和傳統(tǒng)存儲器件的對比中，有著一些自己獨有的優(yōu)勢。而不同的應用環(huán)境對于嵌入式存儲的方案有著各自的需求。其中包括OTP/MTP/EEPROM/EFLASH等不同存儲IP，并且所有的嵌入式存儲IP都通過了最高規(guī)格的車規(guī)級別，工作溫度能達到-40℃到+175℃之間。

以嵌入式非易失性存儲器為例,也就是我們常說的eNVM，它是存儲芯片的一種類型。相對于獨立存儲器而言,嵌入式非易失性存儲器芯片被嵌入芯片內部作為其功能的一部分。

按原理結構的不同，嵌入式存儲器又可分為一次可編程（OTP）存儲器，多次可編程（MTP）存儲器，閃存（Flash）和電可擦可編程只讀存儲器（EEPROM），每種嵌入式存儲器由于特性不同，適用的領域也有所不同。

內置1.1Ω柵極驅動器最大限度地降低MOSFET開關損耗，并允許使用多個并聯(lián)連接的MOSFET。

可在250kHz至770kHz 范圍內通過編程設定一個固定工作頻率，該固定工作頻率也可用內部PLL同步至一個外部時鐘。該器件僅為90ns的最短接通時間使LTC3855非常適用于高降壓比應用。

從芯片架構的角度來講，任何智能傳感目前都需要on-board的MCU用來數(shù)據(jù)運算和處理，而MCU又離不開SRAM和NVM（主要是EEPROM和Flash）。

SoC最基本的功能是把傳感器從外界捕捉的信號（主要是模擬信號）轉換成數(shù)字信號，然后根據(jù)后端不同的協(xié)議轉換數(shù)據(jù)以備后續(xù)的傳輸。整個系統(tǒng)中關于存儲端必須要考慮的關鍵點是該存儲單元的性能參數(shù)，大多數(shù)情況下這取決于整個SoC的應用場景。

因此，所用到的存儲方案，在確保與系統(tǒng)中其余應用能夠完美集成在一起的同時，也必須要有能力承受整個系統(tǒng)相同的工作條件，還要具備與傳感器或者MCU本身要求相當?shù)目煽啃运健?/span>