逆變器/變壓器將直流(DC)電池電力轉(zhuǎn)換為交流(AC)電力
發(fā)布時(shí)間:2022/8/1 17:43:44 訪問(wèn)次數(shù):194
65nm 3V 512Mb及1Gb高容量MirrorBit®NOR解決方案現(xiàn)已在旗艦級(jí)300mm SP1晶圓廠,MirrorBit NOR GL產(chǎn)品系列是用于可靠的代碼執(zhí)行和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的領(lǐng)先解決方案之一,可用于廣泛的高容量消費(fèi)類(lèi)及工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域,包括汽車(chē)導(dǎo)航系統(tǒng)、通訊基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備、游戲及工業(yè)控制等。
65nm MirrorBit NOR GL器件為無(wú)縫過(guò)渡到定于下一代管腳兼容型65nm MirrorBit Eclipse GL 3V產(chǎn)品鋪平了道路。
MirrorBit Eclipse架構(gòu)集NOR和NAND兩種技術(shù)特色于一身,在同一枚裸片上打造出強(qiáng)大的功能。
BESS模塊選擇電池時(shí)需要考慮其化學(xué)特性,以支持所界定的儲(chǔ)能和電力輸送需求、電池的封裝方式以及電池機(jī)架等系統(tǒng)集成結(jié)構(gòu)。
電池管理系統(tǒng)(BMS)確保以最佳速度充電和放電,監(jiān)控溫度,并估算電池的即時(shí)就緒狀態(tài)(充電狀態(tài))和預(yù)期的長(zhǎng)期可靠性(健康狀態(tài))。
電池控制和通信功能可報(bào)告運(yùn)行狀態(tài)并支持遠(yuǎn)程控制。
逆變器/變壓器將直流(DC)電池電力轉(zhuǎn)換為交流(AC)電力,并將BESS連接到電網(wǎng)。
在連接這些BESS模塊時(shí),關(guān)鍵性能因素包括:
高功率和信號(hào)密度
易于現(xiàn)場(chǎng)安裝
在惡劣和苛刻環(huán)境下的高可靠性
雙端口企業(yè)和數(shù)據(jù)中心PCIe Gen5 x4 NVMe主控芯片,具有16個(gè)NAND通道,最高支持2400MT/s。
SM8366 提供業(yè)界領(lǐng)先的超快順序(>14GB/s)和隨機(jī)(>3.0M IOPS)讀寫(xiě)性能,并包含一個(gè)可擴(kuò)展的單/雙通道40位DDR4-3200/DDR5-4800 DRAM接口。采用MonTitan平臺(tái)的高性能SM8366釋放了曾經(jīng)受限于傳統(tǒng)存儲(chǔ)架構(gòu)的潛力,提供靈活、高完整性的解決方案,以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心SSD設(shè)計(jì)的新標(biāo)準(zhǔn)。
為了應(yīng)對(duì)數(shù)據(jù)中心的新挑戰(zhàn),需要改變存儲(chǔ)平臺(tái)和運(yùn)營(yíng)模式,SSD存儲(chǔ)解決方案因此不斷演進(jìn)。我們的MonTitan SSD解決方案是創(chuàng)新的PCIe Gen5 SSD平臺(tái),旨在滿足當(dāng)今數(shù)據(jù)中心的獨(dú)特需求,同時(shí)提供靈活性和可編程性以滿足未來(lái)標(biāo)準(zhǔn)的要求。
65nm 3V 512Mb及1Gb高容量MirrorBit®NOR解決方案現(xiàn)已在旗艦級(jí)300mm SP1晶圓廠,MirrorBit NOR GL產(chǎn)品系列是用于可靠的代碼執(zhí)行和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的領(lǐng)先解決方案之一,可用于廣泛的高容量消費(fèi)類(lèi)及工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域,包括汽車(chē)導(dǎo)航系統(tǒng)、通訊基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備、游戲及工業(yè)控制等。
65nm MirrorBit NOR GL器件為無(wú)縫過(guò)渡到定于下一代管腳兼容型65nm MirrorBit Eclipse GL 3V產(chǎn)品鋪平了道路。
MirrorBit Eclipse架構(gòu)集NOR和NAND兩種技術(shù)特色于一身,在同一枚裸片上打造出強(qiáng)大的功能。
BESS模塊選擇電池時(shí)需要考慮其化學(xué)特性,以支持所界定的儲(chǔ)能和電力輸送需求、電池的封裝方式以及電池機(jī)架等系統(tǒng)集成結(jié)構(gòu)。
電池管理系統(tǒng)(BMS)確保以最佳速度充電和放電,監(jiān)控溫度,并估算電池的即時(shí)就緒狀態(tài)(充電狀態(tài))和預(yù)期的長(zhǎng)期可靠性(健康狀態(tài))。
電池控制和通信功能可報(bào)告運(yùn)行狀態(tài)并支持遠(yuǎn)程控制。
逆變器/變壓器將直流(DC)電池電力轉(zhuǎn)換為交流(AC)電力,并將BESS連接到電網(wǎng)。
在連接這些BESS模塊時(shí),關(guān)鍵性能因素包括:
高功率和信號(hào)密度
易于現(xiàn)場(chǎng)安裝
在惡劣和苛刻環(huán)境下的高可靠性
雙端口企業(yè)和數(shù)據(jù)中心PCIe Gen5 x4 NVMe主控芯片,具有16個(gè)NAND通道,最高支持2400MT/s。
SM8366 提供業(yè)界領(lǐng)先的超快順序(>14GB/s)和隨機(jī)(>3.0M IOPS)讀寫(xiě)性能,并包含一個(gè)可擴(kuò)展的單/雙通道40位DDR4-3200/DDR5-4800 DRAM接口。采用MonTitan平臺(tái)的高性能SM8366釋放了曾經(jīng)受限于傳統(tǒng)存儲(chǔ)架構(gòu)的潛力,提供靈活、高完整性的解決方案,以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心SSD設(shè)計(jì)的新標(biāo)準(zhǔn)。
為了應(yīng)對(duì)數(shù)據(jù)中心的新挑戰(zhàn),需要改變存儲(chǔ)平臺(tái)和運(yùn)營(yíng)模式,SSD存儲(chǔ)解決方案因此不斷演進(jìn)。我們的MonTitan SSD解決方案是創(chuàng)新的PCIe Gen5 SSD平臺(tái),旨在滿足當(dāng)今數(shù)據(jù)中心的獨(dú)特需求,同時(shí)提供靈活性和可編程性以滿足未來(lái)標(biāo)準(zhǔn)的要求。
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