小功率場效應(yīng)晶體管的漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管,漏極D有反向電壓時(shí)有保護(hù)作用。場效應(yīng)晶體管漏極D與源極s之間的阻值受柵極電壓的控制。當(dāng)柵極G電壓高于3,5V時(shí),D、s間的阻值趨于0,即飽和導(dǎo)通。當(dāng)柵極G電壓低于2V時(shí),D、s間的阻值趨于無窮大,相當(dāng)于短路狀態(tài)截止。

場效應(yīng)晶體管漏極電流與%s和t/Ds的關(guān)系曲線,小功率場效應(yīng)晶體管的檢測電路。

小功率場效應(yīng)晶體管的檢測電路,為了測試方便,電路中可用負(fù)載電路取代直流電動機(jī),使用指針萬用表分別檢測小功率場效應(yīng)晶體管柵極電壓和漏極電壓,即可判別小功率場效應(yīng)晶體管的工作狀態(tài)是否正常。

產(chǎn)品包括ESDALC3V9-1U2、ESDALC6V1-1U2和ESDALC14V2-1U2三款產(chǎn)品。這三款產(chǎn)品的擊穿電壓分別為 3.9V、6.1V和14.2V，設(shè)計(jì)人員可以從中選擇鉗位電壓最佳的產(chǎn)品保護(hù)芯片。

三款新產(chǎn)品均可承受IEC61000-4-2 4級標(biāo)準(zhǔn)的脈沖峰壓的多次沖擊，該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定接觸放電脈沖和電涌分別為8kV和30A。ESDALCxx-1U2的其它優(yōu)點(diǎn)包括低泄漏電流和低器件電容，低泄漏電流可以使電池耗電量達(dá)到最小化，6pF或12pF的電容可最大限度降低對信號速度的影響。

帶有同體封裝的190V功率二極管的190Vn通道功率MOSFET---SiA850DJ，該器件具有2mm×2mm的較小占位面積以及0.75mm的超薄厚度。

檢測的具體方法如下:

當(dāng)開關(guān)sW1置于0N位置時(shí),小功率場效應(yīng)晶體臀的柵極(G)電壓上升為8.5V,VF導(dǎo)通,溽極(D)電壓降為0V。當(dāng)開關(guān)sWl置于0FF位置時(shí),小功率場效應(yīng)晶體管的柵極(G)電壓為0V,VF截止,喝極電壓升為12V。

場效應(yīng)晶體管的功能特點(diǎn)與識別檢測,晶閘管的種類特點(diǎn)

晶閘管是晶體閘流管的簡稱,是一種可控整流器件,也稱為可控硅。晶閘管在一定的電壓條件下,只要有一觸發(fā)脈沖就可導(dǎo)通,觸發(fā)脈沖消失,晶閘管仍然能維持導(dǎo)通狀態(tài),典型電子產(chǎn)品電路板上的晶間管.