全焊構(gòu)造和低TCR的固體金屬鎳鉻合金電阻材料
發(fā)布時(shí)間:2022/8/4 13:08:08 訪問次數(shù):156
保持上述狀態(tài),將sw1置于1端,三極管v截止,發(fā)射極(E)電壓為oV,單向晶閘管sCR仍維持導(dǎo)通,陽極(A)與電源端電壓為3V,LED發(fā)光。
保持上述狀態(tài),將sW2置于oFF,電路斷開,LED熄滅。
再將sW2置于0N,電路處于等待狀態(tài),又可以重復(fù)上述工作狀態(tài)。這種情況表明,電路中單向品網(wǎng)管工作正常。檢測(cè)雙向晶閘管的觸發(fā)能力與檢測(cè)單向晶閘管觸發(fā)能力的方法基本相同,只是所測(cè)晶閘管引腳極性不同。
高溫1-W表面貼裝Power Metal Strip®電阻,該產(chǎn)品是業(yè)界首款可在–65C到+275C溫度范圍內(nèi)工作的2010封裝尺寸電流感測(cè)電阻---WSLT2010…18。WSLT2010…18電阻具有極低的電阻值范圍(10-mΩ到500-mΩ)、較低的誤差(低至±0.5%)和低TCR值(低至±75 ppm/C)。
WSLT2010…18的耐高溫能力和高額定功率(為標(biāo)準(zhǔn)WSL的兩倍)使其可用于惡劣、高溫環(huán)境中的電流感應(yīng)和脈沖應(yīng)用,而無須犧牲額定功率或電氣性能。
WSLT2010…18采用專有技術(shù)制造,具有極低的電阻值。該產(chǎn)品采用全焊構(gòu)造和低TCR(小于20PPM/oC)的固體金屬鎳鉻合金電阻材料,可提供極低的電感值、極佳的頻率響應(yīng)(高達(dá)50MHz )和低熱EMF(小于3μV/C)。
檢測(cè)雙向晶閘管的觸發(fā)能力時(shí)需要為其提供觸發(fā)條件,一般可用萬用表檢測(cè),既可作為檢測(cè)儀表,又可利用內(nèi)電壓為晶閘管提供觸發(fā)條件。
雙向晶閘管觸發(fā)能力的檢測(cè)方法,上述檢測(cè)方法由萬用表內(nèi)電池產(chǎn)生的電流維持雙向晶閘管的導(dǎo)通狀態(tài),有些大電流雙向品閘管需要較大的電流才能維持導(dǎo)通狀態(tài),黑表筆脫離控制極(G)后,雙向晶閘管不能維持導(dǎo)通狀態(tài)是正常的.
在這種情況下需要借助電路進(jìn)行檢測(cè),在路檢測(cè)雙向晶閘管觸發(fā)能力擁有絕佳的價(jià)格與完美的音質(zhì),HT8972是最適合于卡拉OK、音響器材、電子樂器、玩具等應(yīng)用的回音IC。
單片DisplayPort轉(zhuǎn)VGA芯片,有助于推動(dòng)DisplayPort快速成為下一代顯示器的接口標(biāo)準(zhǔn)。
保持上述狀態(tài),將sw1置于1端,三極管v截止,發(fā)射極(E)電壓為oV,單向晶閘管sCR仍維持導(dǎo)通,陽極(A)與電源端電壓為3V,LED發(fā)光。
保持上述狀態(tài),將sW2置于oFF,電路斷開,LED熄滅。
再將sW2置于0N,電路處于等待狀態(tài),又可以重復(fù)上述工作狀態(tài)。這種情況表明,電路中單向品網(wǎng)管工作正常。檢測(cè)雙向晶閘管的觸發(fā)能力與檢測(cè)單向晶閘管觸發(fā)能力的方法基本相同,只是所測(cè)晶閘管引腳極性不同。
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WSLT2010…18的耐高溫能力和高額定功率(為標(biāo)準(zhǔn)WSL的兩倍)使其可用于惡劣、高溫環(huán)境中的電流感應(yīng)和脈沖應(yīng)用,而無須犧牲額定功率或電氣性能。
WSLT2010…18采用專有技術(shù)制造,具有極低的電阻值。該產(chǎn)品采用全焊構(gòu)造和低TCR(小于20PPM/oC)的固體金屬鎳鉻合金電阻材料,可提供極低的電感值、極佳的頻率響應(yīng)(高達(dá)50MHz )和低熱EMF(小于3μV/C)。
檢測(cè)雙向晶閘管的觸發(fā)能力時(shí)需要為其提供觸發(fā)條件,一般可用萬用表檢測(cè),既可作為檢測(cè)儀表,又可利用內(nèi)電壓為晶閘管提供觸發(fā)條件。
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