Fusitsu的新型包裹式堆棧多片封裝技術(shù)硅晶體管快65%
發(fā)布時間:2022/9/27 13:08:08 訪問次數(shù):252
晶體管的速度主要由電子通過晶體管的快慢來決定。這取決于制造晶體管的半導(dǎo)體材料和電子必須通過的距離。絕大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)晶體管所用的材料是硅。
速度為350GHz的鍺硅晶體管。這種新型晶體管的性能比現(xiàn)有的產(chǎn)品高近300%，比先前報道過的硅晶體管快65%。手指甲大小的微芯片能有幾百萬個晶體管。
IBM開發(fā)的晶體管將會使通信芯片在大約兩年內(nèi)速度高于150GHz。該晶體管也期望能大大地降低通信系統(tǒng)和其它電子產(chǎn)品的功耗和成本。
和EEPROM的100萬次寫入周期相比，8引腳OIC封裝則有無限次寫入周期，工作溫度在0-85度C其數(shù)據(jù)可保存10年。
每個設(shè)備單獨(dú)電源的安裝是特別貴的，因為它要連接到交流電(AC)上。單獨(dú)的數(shù)據(jù)和電源線的安裝同樣會要化更多時間發(fā)現(xiàn)并修理故障。另外，每增加一個傳感器或除去一個激勵器，數(shù)據(jù)和電源線必須要適當(dāng)改變，常常出現(xiàn)在新連接建立前網(wǎng)絡(luò)會關(guān)斷的現(xiàn)象。
新六片裝MB84VY6A4A1 MCP采用Fusitsu的新型包裹式堆棧多片封裝(PS-MCP)技術(shù)，包一對封裝鍵合成有所有六個存儲器的單一單元。
MCP分成四片上裝和兩片下裝。上裝有128Mb NOR雙運(yùn)作的閃存，64Mb NOR雙運(yùn)作閃存，64Mb移動FCRAM和好2Mb移動FCRAM。下裝有32Mb NOR雙運(yùn)作閃存和8Mb低功耗SRAM。
總線寬度為16位,工作電壓為2.85V±0.15V,工作溫度為-26度C到85度C.MCPMCP有10萬次擦除/寫入。
晶體管的速度主要由電子通過晶體管的快慢來決定。這取決于制造晶體管的半導(dǎo)體材料和電子必須通過的距離。絕大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)晶體管所用的材料是硅。
速度為350GHz的鍺硅晶體管。這種新型晶體管的性能比現(xiàn)有的產(chǎn)品高近300%，比先前報道過的硅晶體管快65%。手指甲大小的微芯片能有幾百萬個晶體管。
IBM開發(fā)的晶體管將會使通信芯片在大約兩年內(nèi)速度高于150GHz。該晶體管也期望能大大地降低通信系統(tǒng)和其它電子產(chǎn)品的功耗和成本。
和EEPROM的100萬次寫入周期相比，8引腳OIC封裝則有無限次寫入周期，工作溫度在0-85度C其數(shù)據(jù)可保存10年。
每個設(shè)備單獨(dú)電源的安裝是特別貴的，因為它要連接到交流電(AC)上。單獨(dú)的數(shù)據(jù)和電源線的安裝同樣會要化更多時間發(fā)現(xiàn)并修理故障。另外，每增加一個傳感器或除去一個激勵器，數(shù)據(jù)和電源線必須要適當(dāng)改變，常常出現(xiàn)在新連接建立前網(wǎng)絡(luò)會關(guān)斷的現(xiàn)象。
新六片裝MB84VY6A4A1 MCP采用Fusitsu的新型包裹式堆棧多片封裝(PS-MCP)技術(shù)，包一對封裝鍵合成有所有六個存儲器的單一單元。
MCP分成四片上裝和兩片下裝。上裝有128Mb NOR雙運(yùn)作的閃存，64Mb NOR雙運(yùn)作閃存，64Mb移動FCRAM和好2Mb移動FCRAM。下裝有32Mb NOR雙運(yùn)作閃存和8Mb低功耗SRAM。
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