256Mb x16 NAND閃存是3.3V單芯片器件，結(jié)構(gòu)為264字X32頁X2048區(qū)，有264字的寄存器，允許程序和讀數(shù)據(jù)能在寄存器和存儲器單元陣列之間傳輸，增量為+256字。

擦除是以8K字+256字X32頁的單一區(qū)塊來實現(xiàn)。它利用I/O引腳作為地址和數(shù)據(jù)的輸入/輸出以及指令的輸入。x16閃存是BGA封裝或和其它存儲器產(chǎn)品封在一起的多片式封裝（MCP）,以支持各種不同的應(yīng)用。

NOR，SRAM，NAND和假SRAM組合的MCP，為移動電子設(shè)備提供靈活的存儲器解決方案。MCP封裝有更小的占位面積，重量更輕，特別能滿足手機的需求。

輸出驅(qū)動器具有高脈沖電流緩沖器，包括有防止交叉?zhèn)鲗?dǎo)邏輯，以消除短路情況。同一包裝的六通道傳輸時延的匹配，保證了一致的高頻運作。

過流功能能終止所有六個輸出。而主控制器的漏極開路故障信號表明過流或欠壓關(guān)斷已出現(xiàn)。IR2136的封裝有28引腳DIP，44引腳PLCC或28引腳SOIC三種。

由于不用光耦級，IR2175在整個工作狀態(tài)保持高性能，從而增加可靠性。新器件采用PWM輸出和升壓電源，不用專用的二次電源，從而降低尺寸和元件數(shù)量。

新的IR2175有兩種工業(yè)標準封裝：SO-8和8引腳DIP。

SE2526A能代替RF前端所需的多達40個元器件，其封裝尺寸僅為5.5x7.0x1.4mm，比同類型競爭產(chǎn)品要小50%。所以，SE2526A很適合于Wi-Fi系統(tǒng)，包括接入點，PCMCIA卡，PC卡，PDA和手機。

1/4磚形電源轉(zhuǎn)換器，能輸出功率400W，效率高達96%，功率密度高達800 W/in.3。它具有標準的1/4磚形轉(zhuǎn)換器的出腳，在輸出功率和功率密度方面都是最高的。

該器件的輸入電壓從42V到53V，開關(guān)頻率為3.5MHz，輸出電壓為12V，波紋電壓為95mV。對負載的瞬態(tài)響應(yīng)小于1us，絕緣電壓1500V。

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