SRAM I/O接口的單元DRAM核的技術(shù)支持嵌入式手提應(yīng)用
發(fā)布時(shí)間:2022/10/7 22:50:14 訪問(wèn)次數(shù):195
新型超低功耗假靜態(tài)RAM(PSRAM)IS32WV16100 和IS32WV16200,其工作電壓從2.3V到3.6V,結(jié)構(gòu)為1Mx16和 2Mx16,很適合用在下一代手機(jī)以及無(wú)線手持設(shè)備和手提應(yīng)用。
16Mb和32Mb器件的速度有70ns和100ns,非常低的待機(jī)電流(50uA)和工作電流(10mA)。
其它特性還包括能提供測(cè)試好的裸芯片和工業(yè)溫度等級(jí)的芯片。PSRAM系列和Fujitsu, Toshiba和NEC的產(chǎn)品兼容。
16Mb和32Mb PSRAM采用基于有簡(jiǎn)單SRAM I/O接口的單元DRAM核的技術(shù)來(lái)制造,得到更高的密度,每位更低的功耗和更小的尺寸。
成本效率最好的RF模擬前端SE2526A,用于雙模式2.4GHz的802.11b/g WLAN系統(tǒng)。
它具有一流的數(shù)據(jù)吞吐量和傳輸范圍。SE2526A RF前端集成了高性能放大器,功率檢測(cè)器,發(fā)送/接收開(kāi)關(guān),多樣性開(kāi)關(guān)和濾波器以及全匹配的50歐姆。
它還支持嵌入式手提應(yīng)用,工作電壓為單電源3.0-3.6V,802.11g模式僅消耗電流160mA。
SE2526A的功率輸出高達(dá)16dBm,802.11g模式的誤差矢量幅度(EVM)小于3%。在802.11b模式,SE2526A提供輸出功率20dBm,相鄰?fù)ǖ拦β时?ACPR)小于-35dBc。一流的EVM,ACPR和諧波失真性能保證工作在54Mbps 802.11g模式下有高的數(shù)據(jù)吞吐量和更長(zhǎng)的距離。
IR2175過(guò)流關(guān)斷特性2.0us,直接和微處理器或DSP通信。傳統(tǒng)的線性電流傳感光學(xué)或霍爾效應(yīng)傳感器系統(tǒng)的關(guān)斷時(shí)間為三到四微秒,為了得到相同的功能,需要兩個(gè)外接比較器和電平轉(zhuǎn)移運(yùn)算放大器。
此外,作為光耦合級(jí),當(dāng)LED和接收器件間的電流轉(zhuǎn)移比(CTR)衰減時(shí)會(huì)引起系統(tǒng)故障。
IR2136器件有三個(gè)高邊MOSFET和三個(gè)低邊IGBT高壓柵驅(qū)動(dòng)器組成,有各種保護(hù)功能,和CMOS或LSTTL輸出兼容,3.3V邏輯電平直接和微處理器或其它邏輯器件接口,提供120mA/250mA輸出電流源/吸收源。
IR2136逆變器/驅(qū)動(dòng)器IC能使機(jī)器人的設(shè)計(jì)有高達(dá)50V/ns dV/dt的免疫性和低的di/dt驅(qū)動(dòng)電流。
來(lái)源:eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。圖片供參考
新型超低功耗假靜態(tài)RAM(PSRAM)IS32WV16100 和IS32WV16200,其工作電壓從2.3V到3.6V,結(jié)構(gòu)為1Mx16和 2Mx16,很適合用在下一代手機(jī)以及無(wú)線手持設(shè)備和手提應(yīng)用。
16Mb和32Mb器件的速度有70ns和100ns,非常低的待機(jī)電流(50uA)和工作電流(10mA)。
其它特性還包括能提供測(cè)試好的裸芯片和工業(yè)溫度等級(jí)的芯片。PSRAM系列和Fujitsu, Toshiba和NEC的產(chǎn)品兼容。
16Mb和32Mb PSRAM采用基于有簡(jiǎn)單SRAM I/O接口的單元DRAM核的技術(shù)來(lái)制造,得到更高的密度,每位更低的功耗和更小的尺寸。
成本效率最好的RF模擬前端SE2526A,用于雙模式2.4GHz的802.11b/g WLAN系統(tǒng)。
它具有一流的數(shù)據(jù)吞吐量和傳輸范圍。SE2526A RF前端集成了高性能放大器,功率檢測(cè)器,發(fā)送/接收開(kāi)關(guān),多樣性開(kāi)關(guān)和濾波器以及全匹配的50歐姆。
它還支持嵌入式手提應(yīng)用,工作電壓為單電源3.0-3.6V,802.11g模式僅消耗電流160mA。
SE2526A的功率輸出高達(dá)16dBm,802.11g模式的誤差矢量幅度(EVM)小于3%。在802.11b模式,SE2526A提供輸出功率20dBm,相鄰?fù)ǖ拦β时?ACPR)小于-35dBc。一流的EVM,ACPR和諧波失真性能保證工作在54Mbps 802.11g模式下有高的數(shù)據(jù)吞吐量和更長(zhǎng)的距離。
IR2175過(guò)流關(guān)斷特性2.0us,直接和微處理器或DSP通信。傳統(tǒng)的線性電流傳感光學(xué)或霍爾效應(yīng)傳感器系統(tǒng)的關(guān)斷時(shí)間為三到四微秒,為了得到相同的功能,需要兩個(gè)外接比較器和電平轉(zhuǎn)移運(yùn)算放大器。
此外,作為光耦合級(jí),當(dāng)LED和接收器件間的電流轉(zhuǎn)移比(CTR)衰減時(shí)會(huì)引起系統(tǒng)故障。
IR2136器件有三個(gè)高邊MOSFET和三個(gè)低邊IGBT高壓柵驅(qū)動(dòng)器組成,有各種保護(hù)功能,和CMOS或LSTTL輸出兼容,3.3V邏輯電平直接和微處理器或其它邏輯器件接口,提供120mA/250mA輸出電流源/吸收源。
IR2136逆變器/驅(qū)動(dòng)器IC能使機(jī)器人的設(shè)計(jì)有高達(dá)50V/ns dV/dt的免疫性和低的di/dt驅(qū)動(dòng)電流。
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