將3D NAND劃分為更多的六個(gè)平面，以實(shí)現(xiàn)更高程度的并行，從而提高性能。目前市場上許多NAND只有兩個(gè)平面，就算是最先進(jìn)的產(chǎn)品也僅采用四平面設(shè)計(jì)來傳輸指令與數(shù)據(jù)流，是首家將六平面TLC（三層單元）NAND產(chǎn)品推向市場。

就單顆裸片而言，增加并行性能給NAND器件同時(shí)發(fā)送更多讀寫指令，從而提高順序訪問和隨機(jī)訪問的讀寫性能。

因此，六平面架構(gòu)和全新232層NAND中相應(yīng)的獨(dú)立字線數(shù)量，也可以通過減少寫入和讀取指令沖突來提高服務(wù)質(zhì)量(QoS)。就像高速公路一樣，車道越多，擁堵就越少，特定區(qū)域的交通就越通暢。

注意:在路檢測貼片排電阻器時(shí),首先要將排電阻器所在的供電電源斷開,如果測量主板CMOS電路中的排電阻器,還應(yīng)把CMOS電池卸下。

貼片排電阻器的測量,測量液晶顯示器電路中的貼片排電阻器的方法步驟。

第1步:用毛刷和細(xì)砂紙清理灰塵和銹漬后根據(jù)排電阻器的標(biāo)稱阻值調(diào)節(jié)萬用表的量程。此次被測排電阻器標(biāo)的稱阻值為10kΩ,根據(jù)需要將量程選擇在20kΩ。并將黑表筆插入COM孔,紅表筆插入V孔。

第2步:將紅、黑表筆互換位置,再次測量,記錄第2次測量的值9.95,取較大值作為參考。

觀察待測電阻器有無燒焦、有無虛焊等情況,如果有,則電阻器損壞,測量主板中的貼片電阻器.

需要注意的是，代換電阻器必須比原電阻器有更穩(wěn)定的性能，更高的額定功率，但阻值只能在標(biāo)稱容量允許的誤差范圍內(nèi)。

壓敏電阻器一般應(yīng)用于過電壓保護(hù)電路。選用時(shí),壓敏電阻器的標(biāo)稱電壓、最大連續(xù)工作時(shí)間及通流容量在內(nèi)的所有參數(shù)都必須合乎要求。

標(biāo)稱電壓過高,壓敏電阻器將失去保護(hù)意義,而過低則容易被擊穿。應(yīng)更換與其型號相同的壓敏電阻器或用與參數(shù)相同的其他型號的壓敏電阻器來代換。