模塊向外發(fā)送數(shù)據(jù)時管腳485CR輸出高電平時輸出低電平
發(fā)布時間:2022/11/9 8:59:12 訪問次數(shù):407
VM系列模塊提供全雙工串行TTL電平的UART接口以及基于TTL擴展的RS232或RS485接口,默認端口設置為“9600,N,8,1” , 并支持由軟件修改為9600~460800bps通訊速率。
UART的TTL電平邏輯高為VDD,邏輯低為GND, 與非3.3V單片機進行連接時,要注意邏輯電平的轉(zhuǎn)換。TXD為強推挽輸出管腳, RXD為輸入管腳。管腳485CR為數(shù)據(jù)收發(fā)指示管腳, 模塊向外發(fā)送數(shù)據(jù)時管腳485CR輸出高電平( 強推挽),非發(fā)送時輸出低電平。
利用這一邏輯特性, 當在UART外部連接 RS485電平轉(zhuǎn)換芯片時,發(fā)送指示管腳可作為半雙工485芯片的收發(fā)控制管腳使用。
注: 當模塊為RS485接口版本時, 485CR管腳已在模塊內(nèi)部連接到了485芯片( VM511、VM614、 VM618、 VM704S)。
磨損平衡快閃存儲器轉(zhuǎn)換層(FTL)是快閃存儲器控制器其中最重要的面向。透過將主機的邏輯位址轉(zhuǎn)換為快閃存儲器上的物理位址,可以使SSD磨損平衡。
例如,如果主機系統(tǒng)在相同的位址更新數(shù)據(jù),F(xiàn)TL會將該邏輯位址轉(zhuǎn)換為新的物理位址,以便在快閃存儲器驅(qū)動器上均勻地分布磨損,大幅度地提高耐用性。
FTL映射邏輯到物理位址的粒度對性能和耐久性都有很大的影響。消費類USB和SD卡等較簡單的快閃存儲器介質(zhì)使用基于區(qū)塊的映射,在區(qū)塊層級(大小為百萬位元)執(zhí)行映射。由于每個邏輯頁面都直接映射到固定的物理頁面,磨損平衡發(fā)生在區(qū)塊層級,因而在頁面層級無法產(chǎn)生優(yōu)化。
這組開關(guān)由三根引線選擇:讀控制端、寫控制端和片選端。要將數(shù)據(jù)寫入片中,先選中該片,然后發(fā)出寫信號,開關(guān)就合上了,并將傳過來的數(shù)據(jù)(電荷)寫入片中。如果要讀,先選中該片,然后發(fā)出讀信號,開關(guān)合上,數(shù)據(jù)就被送出去了。
門電路的厚度是一定的,它需要多于10V的供電,CMOS邏輯門需要1V或更少。這種縮小通常被成為摩爾定律,存儲器每縮小一代其密集程度提高一倍。隨著存儲單元的縮小,GST材料的體積也在縮小,這使得PCM具有縮放性。
來源:21IC.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。圖片供參考
VM系列模塊提供全雙工串行TTL電平的UART接口以及基于TTL擴展的RS232或RS485接口,默認端口設置為“9600,N,8,1” , 并支持由軟件修改為9600~460800bps通訊速率。
UART的TTL電平邏輯高為VDD,邏輯低為GND, 與非3.3V單片機進行連接時,要注意邏輯電平的轉(zhuǎn)換。TXD為強推挽輸出管腳, RXD為輸入管腳。管腳485CR為數(shù)據(jù)收發(fā)指示管腳, 模塊向外發(fā)送數(shù)據(jù)時管腳485CR輸出高電平( 強推挽),非發(fā)送時輸出低電平。
利用這一邏輯特性, 當在UART外部連接 RS485電平轉(zhuǎn)換芯片時,發(fā)送指示管腳可作為半雙工485芯片的收發(fā)控制管腳使用。
注: 當模塊為RS485接口版本時, 485CR管腳已在模塊內(nèi)部連接到了485芯片( VM511、VM614、 VM618、 VM704S)。
磨損平衡快閃存儲器轉(zhuǎn)換層(FTL)是快閃存儲器控制器其中最重要的面向。透過將主機的邏輯位址轉(zhuǎn)換為快閃存儲器上的物理位址,可以使SSD磨損平衡。
例如,如果主機系統(tǒng)在相同的位址更新數(shù)據(jù),F(xiàn)TL會將該邏輯位址轉(zhuǎn)換為新的物理位址,以便在快閃存儲器驅(qū)動器上均勻地分布磨損,大幅度地提高耐用性。
FTL映射邏輯到物理位址的粒度對性能和耐久性都有很大的影響。消費類USB和SD卡等較簡單的快閃存儲器介質(zhì)使用基于區(qū)塊的映射,在區(qū)塊層級(大小為百萬位元)執(zhí)行映射。由于每個邏輯頁面都直接映射到固定的物理頁面,磨損平衡發(fā)生在區(qū)塊層級,因而在頁面層級無法產(chǎn)生優(yōu)化。
這組開關(guān)由三根引線選擇:讀控制端、寫控制端和片選端。要將數(shù)據(jù)寫入片中,先選中該片,然后發(fā)出寫信號,開關(guān)就合上了,并將傳過來的數(shù)據(jù)(電荷)寫入片中。如果要讀,先選中該片,然后發(fā)出讀信號,開關(guān)合上,數(shù)據(jù)就被送出去了。
門電路的厚度是一定的,它需要多于10V的供電,CMOS邏輯門需要1V或更少。這種縮小通常被成為摩爾定律,存儲器每縮小一代其密集程度提高一倍。隨著存儲單元的縮小,GST材料的體積也在縮小,這使得PCM具有縮放性。
來源:21IC.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。圖片供參考
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