TVS將電壓鉗制在一個(gè)高值系統(tǒng)仍可能受到干擾或損壞
發(fā)布時(shí)間:2022/11/14 1:09:08 訪問(wèn)次數(shù):554
GaN的擊穿電場(chǎng)比硅高10倍以上(3.3MV/cm對(duì)0.3MV/cm)，允許基于GaN的功率器件在損壞之前支持高10倍的電壓。
在相同的電壓值下運(yùn)行，GaN器件表現(xiàn)出較低的溫度并產(chǎn)生較少的熱量。因此，它們可以在比硅更高的溫度下工作，這受到其較低的結(jié)溫(150°C至175°C)的限制。
由于其固有結(jié)構(gòu)，GaN可以在比硅更高的頻率下開(kāi)關(guān)，具有低RDS(on)，并具有出色的反向恢復(fù)能力。這反過(guò)來(lái)又會(huì)產(chǎn)生高效率，同時(shí)減少開(kāi)關(guān)和功率損耗。
作為一種高電子遷移率晶體管，GaN器件具有比硅器件更高的電場(chǎng)強(qiáng)度，從而允許更小的芯片尺寸和更小的占位面積。
當(dāng)TVS處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí)，其漏電流在1μA以下。一旦被觸發(fā)，它將迅速成為一個(gè)低阻抗元件，并將大部分能量旁路到地。
當(dāng)ESD事件發(fā)生時(shí)，TVS將立即開(kāi)啟。然后它將大部分能量旁路到地，并將電壓鉗制在適當(dāng)?shù)乃揭员３窒到y(tǒng)穩(wěn)定。如果TVS將電壓鉗制在一個(gè)高值，系統(tǒng)仍可能受到干擾或損壞。因此，鉗位電壓TVS越低TVS越好。
特征描述
VRWM_略高于電源軌電壓以確保安全裕度
方向性單向優(yōu)化負(fù)鉗位電壓
漏電流低漏電流，低功耗
ESD鉗位電壓低鉗位電壓提供有效保護(hù)
浪涌Ipp(8/20μs)低場(chǎng)返回率的高浪涌魯棒性
ESD IEC61000-4-2高ESD穩(wěn)健性，適用于大多數(shù)嚴(yán)格的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)
包裝尺寸緊湊型設(shè)備的小封裝
電池電源軌的驚人優(yōu)化ESD保護(hù)解決方案---AZ5A16-01M
來(lái)源：21ic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。圖片供參考
GaN的擊穿電場(chǎng)比硅高10倍以上(3.3MV/cm對(duì)0.3MV/cm)，允許基于GaN的功率器件在損壞之前支持高10倍的電壓。
在相同的電壓值下運(yùn)行，GaN器件表現(xiàn)出較低的溫度并產(chǎn)生較少的熱量。因此，它們可以在比硅更高的溫度下工作，這受到其較低的結(jié)溫(150°C至175°C)的限制。
由于其固有結(jié)構(gòu)，GaN可以在比硅更高的頻率下開(kāi)關(guān)，具有低RDS(on)，并具有出色的反向恢復(fù)能力。這反過(guò)來(lái)又會(huì)產(chǎn)生高效率，同時(shí)減少開(kāi)關(guān)和功率損耗。
作為一種高電子遷移率晶體管，GaN器件具有比硅器件更高的電場(chǎng)強(qiáng)度，從而允許更小的芯片尺寸和更小的占位面積。
當(dāng)TVS處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí)，其漏電流在1μA以下。一旦被觸發(fā)，它將迅速成為一個(gè)低阻抗元件，并將大部分能量旁路到地。
當(dāng)ESD事件發(fā)生時(shí)，TVS將立即開(kāi)啟。然后它將大部分能量旁路到地，并將電壓鉗制在適當(dāng)?shù)乃揭员３窒到y(tǒng)穩(wěn)定。如果TVS將電壓鉗制在一個(gè)高值，系統(tǒng)仍可能受到干擾或損壞。因此，鉗位電壓TVS越低TVS越好。
特征描述
VRWM_略高于電源軌電壓以確保安全裕度
方向性單向優(yōu)化負(fù)鉗位電壓
漏電流低漏電流，低功耗
ESD鉗位電壓低鉗位電壓提供有效保護(hù)
浪涌Ipp(8/20μs)低場(chǎng)返回率的高浪涌魯棒性
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