新產(chǎn)品系列降低了各種采用SMD封裝和THD封裝的器件的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）值，最高可降低55%，例如DPAK封裝中器件的導(dǎo)通電阻值為450 mΩ或TO247封裝中器件的導(dǎo)通電阻值為60mΩ。設(shè)計(jì)人員可通過(guò)減小封裝尺寸、大幅提高功率密度并節(jié)省電路板空間，降低BOM成本和生產(chǎn)成本。

其柵極-源極閾值電壓（V(GS),th）為3V，V(GS),th最低變化范圍為±0.5V，可方便新器件的設(shè)計(jì)導(dǎo)入和驅(qū)動(dòng)，提高了設(shè)計(jì)自由度；利用低閾值電壓和容差可避免使用MOSFET線性模式，降低了驅(qū)動(dòng)電壓和閑置損耗。LM1117IDT-3.3/NOPB

與CoolMOS C3相比，新產(chǎn)品系列的柵極電荷改善了60%，大大降低了驅(qū)動(dòng)損耗，而且能夠達(dá)到人體放電模型（HBM）（2級(jí)靜電放電敏感度）標(biāo)準(zhǔn)，保證了靜電放電（ESD）的穩(wěn)健性，進(jìn)而減少了與ESD有關(guān)的設(shè)備故障，提高了產(chǎn)量。

以無(wú)PCB SIP封裝提供的多方向感測(cè)磁性位置傳感器，能夠?yàn)樵O(shè)計(jì)人員提供可配置的信號(hào)路徑和靈活的線性化，以便進(jìn)行線端校準(zhǔn)并優(yōu)化感測(cè)精度。

IC可以補(bǔ)償非線性場(chǎng)和靜態(tài)傳感器與磁體的未對(duì)準(zhǔn)誤差，高可配置性能夠使設(shè)計(jì)人員輕松優(yōu)化精度和校準(zhǔn)時(shí)間。這有助于盡量減少電子控制單元(ECU)中的處理，并最大限度地提高非理想磁體和機(jī)械裝配公差下的線端成品率。

采用合并技術(shù)(binning)多級(jí)輸出能夠?qū)⒍鄠�(gè)磁性開(kāi)關(guān)IC功能集成到單一芯片A31316 。

A31316傳感器遵循獨(dú)立安全單元(SEooC)等功能安全指南，支持符合ISO 26262的ASIL B系統(tǒng)級(jí)集成，并且符合AEC-Q100 Grade 0汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)。

A31316集成了一個(gè)曼徹斯特接口(Manchester interface)，用于通過(guò)輸出引腳對(duì)EEPROM進(jìn)行編程，從而無(wú)需另外單獨(dú)的編程接口。它能夠可靠地存儲(chǔ)工廠和客戶編程的校準(zhǔn)設(shè)置，并帶有供客戶使用的專(zhuān)用寄存器。

EEPROM編程不需要高壓電源，A31316可以直接使用5V電源電壓進(jìn)行編程，從而能夠與微控制器或其他低電壓器件集成。

IC包括業(yè)界快速SENT協(xié)議，滴答時(shí)間(tick time)為0.5-10μs，并包括一個(gè)脈寬調(diào)制(PWM)接口，載波頻率為125Hz-16kHz，用于與微控制器的簡(jiǎn)單數(shù)字接口。

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