GoBridge ASSP產(chǎn)品線(xiàn)，同時(shí)發(fā)布GWU2X和GWU2U USB接口橋接器件。

GWU2X ASSP可以將USB接口轉(zhuǎn)換為SPI、JTAG、I2C和GPIO，而GWU2U ASSP可實(shí)現(xiàn)USB到UART的接口轉(zhuǎn)換。GoBridge ASSP產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于消費(fèi)、汽車(chē)、工業(yè)和通信市場(chǎng)領(lǐng)域，靈活的實(shí)現(xiàn)接口轉(zhuǎn)換，簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

SDRAM的核心速度比它的I/O速率慢。在每個(gè)列指令期間可訪(fǎng)問(wèn)多個(gè)數(shù)據(jù)字，然后這些數(shù)據(jù)被序列化到接口。

1.8V 512Mb SPI NOR閃存，可支持高達(dá)166MHz的標(biāo)準(zhǔn)SPI，Dual-SPI，Quad-SPI時(shí)鐘速率。全系列SPI NOR閃存，在相同封裝上的腳位皆彼此兼容。

DDR4基于8n預(yù)取架構(gòu)，每個(gè)時(shí)鐘周期在I/O傳輸兩個(gè)n位寬的數(shù)據(jù)字。一個(gè)讀/寫(xiě)操作包括一個(gè)單獨(dú)的8n位寬、4個(gè)周期的在DRAM核心上的傳輸操作和對(duì)應(yīng)的8個(gè)n位、一個(gè)半周期的I/O端口傳輸操作。

DDR4擴(kuò)展了上述SDRAM架構(gòu)，引入了bank組的概念，允許在一個(gè)組中預(yù)取8個(gè)，并在另一個(gè)組中獨(dú)立執(zhí)行另一個(gè)操作。

如果ACT_n為低，這些輸入被分別用作地址A16、A15和A14腳。如果ACT_n為高，它們則恢復(fù)為SDRAM命令真值表中指定的正常功能。

RV1126是專(zhuān)用于視覺(jué)處理的高性能處理器SoC，基于四核Arm Cortex A7 32位內(nèi)核架構(gòu)，集成NEON和FPU。每個(gè)核心都有一個(gè)32KB I cache和32KB D cache以及512KB的共用二級(jí)緩存。內(nèi)置NPU，支持2T算力，支持 INT8/INT16混合操作，AI性能強(qiáng)大。

RV1126具備強(qiáng)大的兼容性，支持主流網(wǎng)絡(luò)模型如TensorFlow/MXNet/PyTorch/Caffe等輕松轉(zhuǎn)換。

為了提供客戶(hù)更完整的選擇方案，除了原有的3V 512Mb W25Q512JV外，W25Q512NW SPI NOR閃存，讓客戶(hù)輕松使用更高容量的存儲(chǔ)空間，同時(shí)無(wú)須修改PCB設(shè)計(jì)。

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