高壓功率系統(tǒng)設(shè)計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續(xù)創(chuàng)新的需求�；诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。

額定電壓介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越來越高，如今的1700V SiC產(chǎn)品便是在其成功的基礎(chǔ)上打造而成。技術(shù)的進(jìn)步推動終端設(shè)備取得了極大的發(fā)展.

設(shè)計人員可借助適當(dāng)?shù)墓β势骷庋b和柵極驅(qū)動最大程度地發(fā)揮1700V SiC MOSFET的優(yōu)勢，這樣便能在最寬的功率水平內(nèi)擴(kuò)大其相對于現(xiàn)有硅解決方案的優(yōu)勢。

此外，完整配置系統(tǒng)還需要微控制器(MCU)、數(shù)據(jù)集中器和無線收發(fā)器。從頭開始設(shè)計無線LED照明控制系統(tǒng)是一項多學(xué)科的任務(wù)，需要承擔(dān)很大的風(fēng)險，并可能延遲上市時間。

作為替代方法，設(shè)計人員可以使用預(yù)制的聯(lián)網(wǎng)LED照明控制開發(fā)平臺。這些平臺具有高能效、高 PF，以及全面的無線控制功能（開/關(guān)、調(diào)光和其他模式）和多個獨(dú)立控制的LED通道，提供最大的設(shè)計靈活性。

超聲系統(tǒng)由換能器、發(fā)射電路、接收電路、后端數(shù)字處理電路、控制電路和顯示模塊等組成。數(shù)字處理模塊通常包含現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)，F(xiàn)PGA根據(jù)系統(tǒng)的配置和控制參數(shù)，生成發(fā)射波束合成及相應(yīng)的波形模式。發(fā)射電路中的驅(qū)動和高壓電路生成高壓信號來激勵超聲換能器。

T/R開關(guān)的主要目的是防止高壓發(fā)射信號損壞低壓接收模擬前端。

模擬電壓信號經(jīng)過信號調(diào)理、放大和濾波后，傳輸至集成ADC的模擬前端，然后轉(zhuǎn)換成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)通過JESD204B或LVDS接口發(fā)送到FPGA進(jìn)行接收波束合成，再到后端數(shù)字部分進(jìn)一步處理，從而生成超聲圖像。

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