A31316集成了一個曼徹斯特接口（Manchester interface），用于通過輸出引腳對 EEPROM 進(jìn)行編程，從而無需另外單獨的編程接口。它能夠可靠地存儲工廠和客戶編程的校準(zhǔn)設(shè)置，并帶有供客戶使用的專用寄存器。 EEPROM編程不需要高壓電源，A31316可以直接使用5V電源電壓進(jìn)行編程，從而能夠與微控制器或其他低電壓器件集成。

該IC包括業(yè)界快速SENT協(xié)議，滴答時間(tick time)為0.5～10μs，并包括一個脈寬調(diào)制(PWM)接口，載波頻率為125Hz～16kHz，用于與微控制器的簡單數(shù)字接口。

A31316傳感器遵循獨立安全單元(SEooC)等功能安全指南，支持符合ISO 26262的ASIL B系統(tǒng)級集成，并且符合AEC-Q100 Grade 0汽車標(biāo)準(zhǔn)。

SMD封裝和THD封裝的器件的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）值，最高可降低55%，例如DPAK封裝中器件的導(dǎo)通電阻值為450mΩ或TO247封裝中器件的導(dǎo)通電阻值為60mΩ。

設(shè)計人員可通過減小封裝尺寸、大幅提高功率密度并節(jié)省電路板空間，降低BOM成本和生產(chǎn)成本。其柵極-源極閾值電壓（V(GS),th）為3V，V(GS),th最低變化范圍為±0.5V，可方便新器件的設(shè)計導(dǎo)入和驅(qū)動，提高了設(shè)計自由度；利用低閾值電壓和容差可避免使用MOSFET線性模式，降低了驅(qū)動電壓和閑置損耗。

另外，與CoolMOS C3相比，新產(chǎn)品系列的柵極電荷改善了60%，大大降低了驅(qū)動損耗，而且能夠達(dá)到人體放電模型（HBM）（2級靜電放電敏感度）標(biāo)準(zhǔn)，保證了靜電放電（ESD）的穩(wěn)健性，進(jìn)而減少了與ESD有關(guān)的設(shè)備故障，提高了產(chǎn)量。

新產(chǎn)品系列適用于反激式、PFC和LLC/LCC設(shè)計，包括使電源換向變得穩(wěn)定而可靠的半橋或全橋配置。

通過集成具有超低反向恢復(fù)電荷（Qrr）的超快速體二極管，該系列產(chǎn)品實現(xiàn)了硬換向的穩(wěn)健性和可靠性，并成為該電壓級別中更穩(wěn)健的超結(jié) MOSFET，可適用于目標(biāo)應(yīng)用中的所有拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

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