整流器反向恢復(fù)性能提高中頻逆變器和軟硬開(kāi)關(guān)或諧振電路效率
發(fā)布時(shí)間:2022/12/5 1:21:04 訪問(wèn)次數(shù):224
第5代600V FRED Pt系列整流器,Vishay將高端Si技術(shù)的優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到不同的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),包括傳統(tǒng)和無(wú)橋功率因數(shù)校正(PFC)前端配置。
TO-220 FullPAK 2L全隔離封裝的新型FRED Pt®第五代600V Hyperfast恢復(fù)整流器---12A VS-E5TW1206FP-N3和VS-E5TX1206FP-N3以及15A VS-E5TW1506FP-N3和VS-E5TX1506FP-N3。該系列的整流器反向恢復(fù)性能達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平,提高中頻逆變器和軟硬開(kāi)關(guān)或諧振電路的效率。
器件可用作工業(yè)應(yīng)用AC/DC和DC/DC功率級(jí)輸出和 PFC 整流器,適用于空調(diào)、非車載充電器、照明、混合太陽(yáng)能逆變器和UPS,在不影響性能的情況下保證系統(tǒng)可靠性和穩(wěn)定性。
器件滿足服務(wù)器電源鈦效率的特殊要求,或通信電源達(dá)到98%的峰值效率。
SiHK045N60EF有效輸出電容Co(er) 和Co(tr) 分別僅為171 pf和1069 pF,可改善零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)開(kāi)關(guān)性能,如LLC諧振轉(zhuǎn)換器。器件的Co(tr) 比同類中最接近的MOSFET競(jìng)品低8.79 %,而其快速體二極管的Qrr低至0.8 μC,有助于提高橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的可靠性。此外,MOSFET的PowerPAK 10 x 12封裝具有任何表面貼裝的出色熱性能,最大結(jié)-殼熱阻額定值為0.45 °C/W。SiHK045N60EF熱阻抗比PowerPAK 8 x 8封裝器件低31%。
一款功率為1500W的醫(yī)療電源產(chǎn)品,其屬于PJMA系列。功率為1500W的PJMA1500F的通用輸入電壓為85至264VAC,符合國(guó)際安全標(biāo)準(zhǔn)。PJMA系列電源專為要求嚴(yán)苛的醫(yī)療應(yīng)用而設(shè)計(jì),適用于醫(yī)療浮體(BF)應(yīng)用,并符合2MOPP(IN/OUT)和1MOPP(OUT/FG)安全要求。
Semiconductors日前發(fā)布的器件反向恢復(fù)電荷(Qrr)低于前代解決方案60%,同時(shí)恢復(fù)損耗降低90%。此外,與最接近的競(jìng)品相比,整流器反向恢復(fù)能量(Erec)提高10%,軟恢復(fù)有助于降低EMI,在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)更穩(wěn)定地運(yùn)行,從而提高熱性能。
上海德懿電子科技有限公司 www.deyie.com
來(lái)源:eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。圖片供參考
第5代600V FRED Pt系列整流器,Vishay將高端Si技術(shù)的優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到不同的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),包括傳統(tǒng)和無(wú)橋功率因數(shù)校正(PFC)前端配置。
TO-220 FullPAK 2L全隔離封裝的新型FRED Pt®第五代600V Hyperfast恢復(fù)整流器---12A VS-E5TW1206FP-N3和VS-E5TX1206FP-N3以及15A VS-E5TW1506FP-N3和VS-E5TX1506FP-N3。該系列的整流器反向恢復(fù)性能達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平,提高中頻逆變器和軟硬開(kāi)關(guān)或諧振電路的效率。
器件可用作工業(yè)應(yīng)用AC/DC和DC/DC功率級(jí)輸出和 PFC 整流器,適用于空調(diào)、非車載充電器、照明、混合太陽(yáng)能逆變器和UPS,在不影響性能的情況下保證系統(tǒng)可靠性和穩(wěn)定性。
器件滿足服務(wù)器電源鈦效率的特殊要求,或通信電源達(dá)到98%的峰值效率。
SiHK045N60EF有效輸出電容Co(er) 和Co(tr) 分別僅為171 pf和1069 pF,可改善零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)開(kāi)關(guān)性能,如LLC諧振轉(zhuǎn)換器。器件的Co(tr) 比同類中最接近的MOSFET競(jìng)品低8.79 %,而其快速體二極管的Qrr低至0.8 μC,有助于提高橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的可靠性。此外,MOSFET的PowerPAK 10 x 12封裝具有任何表面貼裝的出色熱性能,最大結(jié)-殼熱阻額定值為0.45 °C/W。SiHK045N60EF熱阻抗比PowerPAK 8 x 8封裝器件低31%。
一款功率為1500W的醫(yī)療電源產(chǎn)品,其屬于PJMA系列。功率為1500W的PJMA1500F的通用輸入電壓為85至264VAC,符合國(guó)際安全標(biāo)準(zhǔn)。PJMA系列電源專為要求嚴(yán)苛的醫(yī)療應(yīng)用而設(shè)計(jì),適用于醫(yī)療浮體(BF)應(yīng)用,并符合2MOPP(IN/OUT)和1MOPP(OUT/FG)安全要求。
Semiconductors日前發(fā)布的器件反向恢復(fù)電荷(Qrr)低于前代解決方案60%,同時(shí)恢復(fù)損耗降低90%。此外,與最接近的競(jìng)品相比,整流器反向恢復(fù)能量(Erec)提高10%,軟恢復(fù)有助于降低EMI,在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)更穩(wěn)定地運(yùn)行,從而提高熱性能。
上海德懿電子科技有限公司 www.deyie.com
來(lái)源:eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。圖片供參考
熱門點(diǎn)擊
- 圓形凹槽或圓點(diǎn)來(lái)指明第1腳這種封裝的集成電路
- 單顆器件保證浪涌1.2/50us 2KV低箝
- 消耗能量較同光效白熾燈減少80%發(fā)光二極管比
- SPI閃存和I2C/SMBus過(guò)濾中實(shí)現(xiàn)運(yùn)行
- 1片E2PROM芯片保存設(shè)置參數(shù)及采集數(shù)據(jù)多
- 計(jì)算能力只有VGA ToF傳感器IC MLX
- 整流器反向恢復(fù)性能提高中頻逆變器和軟硬開(kāi)關(guān)或
- 多種輸出電容方案優(yōu)化和實(shí)現(xiàn)負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)下輸出
- 4.5V–14V的寬輸入電壓范圍實(shí)現(xiàn)高達(dá)2M
- PMU集成低靜態(tài)電流SIMO DC/DC轉(zhuǎn)換
推薦技術(shù)資料
- 第8代1800A/1200V
- 1200V CoolSiC嵌入
- PCB嵌入式功率芯片封裝應(yīng)用研究
- 反射傳感器簡(jiǎn)化光電開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)
- 導(dǎo)電性高分子混合鋁電解電容器
- PCIe Gen4 SSD主控芯片
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究