SC801包括有一個(gè)控制器以及熱保護(hù)的功率MOSFET，反向阻斷的二極管和敏感電阻，這都封裝在1.0毫米高，4X4毫米的微型引線封裝(MLP)。這種封裝的熱阻為50C/W，其銅熱沉直接和PCB接觸,使用小輸入和輸出電容更進(jìn)一步減小空間。

SC801的快速?zèng)_電電流達(dá)到1.5A。但是，為了避免電池完全放電而引起的過熱問題，芯片能自動(dòng)調(diào)用預(yù)沖電模式，當(dāng)電池電壓低于2.8V，它把沖電電流限制在10mA和125mA之間。只有電池電壓達(dá)到2.8V門限時(shí)才會(huì)轉(zhuǎn)換到快速?zèng)_電模式。

SC801可處理輸入電壓為從4.2V到14V，可選擇的輸出電壓為4.1V或4.2V，其精度為+-1%。

VMIS的設(shè)計(jì)是要把光檢測(cè)器件中的光電電荷以最大的效率轉(zhuǎn)變成電子電荷。這種設(shè)計(jì)使得圖像質(zhì)量和CCD器件相似而用CMOS工藝來實(shí)現(xiàn)。這就降低了功耗和電壓。傳感器的結(jié)構(gòu)也允許集成到LSI器件中去。

VMIS提供5-10百萬相素的照片質(zhì)量，適用于外科手術(shù)照相機(jī)和其它醫(yī)療設(shè)備，保安系統(tǒng)和大量的消費(fèi)類電子設(shè)備如網(wǎng)絡(luò)照相機(jī)，數(shù)碼照相機(jī)和手提可視電話。

電與磁變化的電流可以產(chǎn)生變化的磁場(chǎng),變化的磁場(chǎng)也可以感應(yīng)變化的電流。下面我們學(xué)習(xí)電和磁的基本概念及電與磁之間的關(guān)系。

電流與磁場(chǎng)可以通過某種方式互換,在學(xué)習(xí)電與磁之間的關(guān)系之前,我們先了解電、磁的基本概念。

電的基本知識(shí),電具有同性相斥、異性相吸的特性。當(dāng)使用帶正電的玻璃棒靠近帶正電的軟木球時(shí)會(huì)相互排斥;當(dāng)使用帶負(fù)電的橡膠棒靠近帶正電的軟木球時(shí),會(huì)相互吸引。

磁的基本性質(zhì),磁場(chǎng)是磁體周圍存在的一種特殊物質(zhì)。磁體間的相互作用力是通過磁場(chǎng)傳送的。在線圈、電動(dòng)機(jī)、電磁鐵和磁頭的磁隙附近都存在磁場(chǎng)。磁場(chǎng)具有方向性,判斷磁場(chǎng)的方向可將自由轉(zhuǎn)動(dòng)的小磁針放在磁場(chǎng)中的某一點(diǎn),小磁針N極所指的方向即為該點(diǎn)的磁場(chǎng)方向。

上海德懿電子科技有限公司  www.deyie.com