2024年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件盤點(diǎn)
發(fā)布時(shí)間:2025/1/6 8:02:11 訪問次數(shù):54
2024年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件盤點(diǎn)
2024年,第三代半導(dǎo)體技術(shù)在全球范圍內(nèi)得到了進(jìn)一步的發(fā)展,行業(yè)內(nèi)發(fā)生了一系列影響深遠(yuǎn)的事件。
這一年,眾多企業(yè)和科研機(jī)構(gòu)在氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等材料的研發(fā)和應(yīng)用方面取得了顯著進(jìn)展。
本篇文章將盤點(diǎn)2024年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)的十大重要事件,探討其對(duì)行業(yè)的影響與前景。
事件一:全球半導(dǎo)體市場持續(xù)增長
2024年,全球半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到6000億美元,繼續(xù)保持增長趨勢(shì)。第三代半導(dǎo)體因其優(yōu)異的電氣特性和高溫耐受性,成為眾多新興應(yīng)用的核心技術(shù),特別是在電動(dòng)汽車(EV)、可再生能源和高頻通信等領(lǐng)域。大規(guī)模的市場需求推動(dòng)了相應(yīng)的技術(shù)創(chuàng)新與投資,氮化鎵和碳化硅的滲透率持續(xù)上升。
事件二:主要半導(dǎo)體廠商擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃
面對(duì)日益增長的市場需求,全球多家主要半導(dǎo)體廠商于2024年宣布了大規(guī)模的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。例如,某知名半導(dǎo)體制造商透露,將在其新工廠中采用先進(jìn)的GaN和SiC生產(chǎn)技術(shù),以滿足電動(dòng)汽車和數(shù)據(jù)中心市場的需求。這一擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃標(biāo)志著行業(yè)對(duì)于第三代半導(dǎo)體的重視程度不斷加深,同時(shí)也反映出企業(yè)戰(zhàn)略的轉(zhuǎn)變。
事件三:關(guān)鍵技術(shù)突破
2024年,科研團(tuán)隊(duì)在碳化硅基功率器件的研發(fā)上取得了關(guān)鍵性技術(shù)突破。這項(xiàng)技術(shù)的突破將使得SiC器件在高溫和高頻條件下的性能得到進(jìn)一步提升,拓寬了其在軌道交通、航空航天等高端應(yīng)用領(lǐng)域的適用性。此項(xiàng)進(jìn)展引起了廣泛的關(guān)注,尤其是在電動(dòng)汽車和可再生能源領(lǐng)域,驅(qū)動(dòng)了整體技術(shù)的進(jìn)步。
事件四:國家政策的支持
2024年,多個(gè)國家相繼出臺(tái)了支持第三代半導(dǎo)體發(fā)展的政策措施。以美國和中國為代表的國家紛紛設(shè)立了專項(xiàng)資金,鼓勵(lì)企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)在GaN和SiC領(lǐng)域進(jìn)行研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。這些政策不僅促進(jìn)了國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展,也為國際合作提供了新的機(jī)遇,為全球半導(dǎo)體行業(yè)的未來奠定了基礎(chǔ)。
事件五:新能源汽車的普及
新能源汽車的普及在2024年迎來了加速發(fā)展,電動(dòng)汽車市場的規(guī)模大幅擴(kuò)大,直接推動(dòng)了第三代半導(dǎo)體的需求增長。由于GaN和SiC器件在充電效率和電池管理系統(tǒng)中具有重要作用,多個(gè)汽車制造商開始在新車型中大量應(yīng)用第三代半導(dǎo)體技術(shù),以提升整車的能效和續(xù)航能力。
事件六:5G與邊緣計(jì)算的崛起
隨著5G網(wǎng)絡(luò)的進(jìn)一步推廣和邊緣計(jì)算的興起,第三代半導(dǎo)體成為高速通信和數(shù)據(jù)處理的重要支撐。2024年,運(yùn)營商和技術(shù)企業(yè)加大了對(duì)基于GaN和SiC的無線通信設(shè)備和基礎(chǔ)設(shè)施的投資。這些設(shè)備采用第三代半導(dǎo)體技術(shù)后,性能得到了顯著提升,帶來更高的傳輸效率和更低的延遲,滿足了日益增長的帶寬需求。
事件七:國際合作加深
在全球化大背景下,2024年多個(gè)國家和地區(qū)的公司與科研機(jī)構(gòu)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域展開了更為緊密的合作。一些國家通過建立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室、進(jìn)行技術(shù)共享和聯(lián)合開發(fā),推動(dòng)了氮化鎵和碳化硅技術(shù)的進(jìn)步。這種合作模式不僅提升了技術(shù)水平,也增強(qiáng)了產(chǎn)業(yè)鏈的韌性,為各方帶來了更多的商業(yè)機(jī)會(huì)。
事件八:環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)的提升
2024年,隨著全球環(huán)保意識(shí)的增強(qiáng),各國政府對(duì)電力電子器件的環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了升級(jí)。這一變化對(duì)傳統(tǒng)硅材料的市場產(chǎn)生了壓力,推動(dòng)企業(yè)加速向綠色環(huán)保的第三代半導(dǎo)體材料轉(zhuǎn)型。氮化鎵和碳化硅因其高效節(jié)能的特性,受到更多企業(yè)的青睞,進(jìn)而促進(jìn)了環(huán)保技術(shù)的普及。
事件九:投資與并購活動(dòng)頻繁
2024年,第三代半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)出現(xiàn)了多起重要的投資與并購活動(dòng)。一些新興企業(yè)獲得了巨額融資,這為其技術(shù)研發(fā)和市場擴(kuò)展提供了強(qiáng)有力的支持。同時(shí),一些傳統(tǒng)半導(dǎo)體企業(yè)通過并購新興技術(shù)公司來加速其在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的布局。這一系列的活動(dòng)加速了市場的整合,提高了行業(yè)的競爭力。
事件十:人才爭奪戰(zhàn)加劇
隨著第三代半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展,行業(yè)內(nèi)對(duì)于高級(jí)技術(shù)人才的需求顯著上升。2024年,全球范圍內(nèi)出現(xiàn)了人才爭奪戰(zhàn),特別是在氮化鎵和碳化硅領(lǐng)域的專業(yè)人才受到了極大的青睞。企業(yè)為吸引高級(jí)人才,不斷提高薪資和福利,甚至為關(guān)鍵職位設(shè)立了提前培養(yǎng)機(jī)制。這一現(xiàn)象不僅加速了技術(shù)的進(jìn)步,也為整個(gè)行業(yè)的生態(tài)系統(tǒng)帶來了更多活力。
總之,2024年在全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)脫穎而出的一系列事件,不僅推動(dòng)了技術(shù)的進(jìn)步,也影響了廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。這些事件展示了第三代半導(dǎo)體在現(xiàn)代科技及產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的重要角色,預(yù)示著行業(yè)在未來將繼續(xù)迎來新的發(fā)展機(jī)遇與挑戰(zhàn)。
2024年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件盤點(diǎn)
2024年,第三代半導(dǎo)體技術(shù)在全球范圍內(nèi)得到了進(jìn)一步的發(fā)展,行業(yè)內(nèi)發(fā)生了一系列影響深遠(yuǎn)的事件。
這一年,眾多企業(yè)和科研機(jī)構(gòu)在氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等材料的研發(fā)和應(yīng)用方面取得了顯著進(jìn)展。
本篇文章將盤點(diǎn)2024年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)的十大重要事件,探討其對(duì)行業(yè)的影響與前景。
事件一:全球半導(dǎo)體市場持續(xù)增長
2024年,全球半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到6000億美元,繼續(xù)保持增長趨勢(shì)。第三代半導(dǎo)體因其優(yōu)異的電氣特性和高溫耐受性,成為眾多新興應(yīng)用的核心技術(shù),特別是在電動(dòng)汽車(EV)、可再生能源和高頻通信等領(lǐng)域。大規(guī)模的市場需求推動(dòng)了相應(yīng)的技術(shù)創(chuàng)新與投資,氮化鎵和碳化硅的滲透率持續(xù)上升。
事件二:主要半導(dǎo)體廠商擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃
面對(duì)日益增長的市場需求,全球多家主要半導(dǎo)體廠商于2024年宣布了大規(guī)模的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。例如,某知名半導(dǎo)體制造商透露,將在其新工廠中采用先進(jìn)的GaN和SiC生產(chǎn)技術(shù),以滿足電動(dòng)汽車和數(shù)據(jù)中心市場的需求。這一擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃標(biāo)志著行業(yè)對(duì)于第三代半導(dǎo)體的重視程度不斷加深,同時(shí)也反映出企業(yè)戰(zhàn)略的轉(zhuǎn)變。
事件三:關(guān)鍵技術(shù)突破
2024年,科研團(tuán)隊(duì)在碳化硅基功率器件的研發(fā)上取得了關(guān)鍵性技術(shù)突破。這項(xiàng)技術(shù)的突破將使得SiC器件在高溫和高頻條件下的性能得到進(jìn)一步提升,拓寬了其在軌道交通、航空航天等高端應(yīng)用領(lǐng)域的適用性。此項(xiàng)進(jìn)展引起了廣泛的關(guān)注,尤其是在電動(dòng)汽車和可再生能源領(lǐng)域,驅(qū)動(dòng)了整體技術(shù)的進(jìn)步。
事件四:國家政策的支持
2024年,多個(gè)國家相繼出臺(tái)了支持第三代半導(dǎo)體發(fā)展的政策措施。以美國和中國為代表的國家紛紛設(shè)立了專項(xiàng)資金,鼓勵(lì)企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)在GaN和SiC領(lǐng)域進(jìn)行研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。這些政策不僅促進(jìn)了國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展,也為國際合作提供了新的機(jī)遇,為全球半導(dǎo)體行業(yè)的未來奠定了基礎(chǔ)。
事件五:新能源汽車的普及
新能源汽車的普及在2024年迎來了加速發(fā)展,電動(dòng)汽車市場的規(guī)模大幅擴(kuò)大,直接推動(dòng)了第三代半導(dǎo)體的需求增長。由于GaN和SiC器件在充電效率和電池管理系統(tǒng)中具有重要作用,多個(gè)汽車制造商開始在新車型中大量應(yīng)用第三代半導(dǎo)體技術(shù),以提升整車的能效和續(xù)航能力。
事件六:5G與邊緣計(jì)算的崛起
隨著5G網(wǎng)絡(luò)的進(jìn)一步推廣和邊緣計(jì)算的興起,第三代半導(dǎo)體成為高速通信和數(shù)據(jù)處理的重要支撐。2024年,運(yùn)營商和技術(shù)企業(yè)加大了對(duì)基于GaN和SiC的無線通信設(shè)備和基礎(chǔ)設(shè)施的投資。這些設(shè)備采用第三代半導(dǎo)體技術(shù)后,性能得到了顯著提升,帶來更高的傳輸效率和更低的延遲,滿足了日益增長的帶寬需求。
事件七:國際合作加深
在全球化大背景下,2024年多個(gè)國家和地區(qū)的公司與科研機(jī)構(gòu)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域展開了更為緊密的合作。一些國家通過建立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室、進(jìn)行技術(shù)共享和聯(lián)合開發(fā),推動(dòng)了氮化鎵和碳化硅技術(shù)的進(jìn)步。這種合作模式不僅提升了技術(shù)水平,也增強(qiáng)了產(chǎn)業(yè)鏈的韌性,為各方帶來了更多的商業(yè)機(jī)會(huì)。
事件八:環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)的提升
2024年,隨著全球環(huán)保意識(shí)的增強(qiáng),各國政府對(duì)電力電子器件的環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了升級(jí)。這一變化對(duì)傳統(tǒng)硅材料的市場產(chǎn)生了壓力,推動(dòng)企業(yè)加速向綠色環(huán)保的第三代半導(dǎo)體材料轉(zhuǎn)型。氮化鎵和碳化硅因其高效節(jié)能的特性,受到更多企業(yè)的青睞,進(jìn)而促進(jìn)了環(huán)保技術(shù)的普及。
事件九:投資與并購活動(dòng)頻繁
2024年,第三代半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)出現(xiàn)了多起重要的投資與并購活動(dòng)。一些新興企業(yè)獲得了巨額融資,這為其技術(shù)研發(fā)和市場擴(kuò)展提供了強(qiáng)有力的支持。同時(shí),一些傳統(tǒng)半導(dǎo)體企業(yè)通過并購新興技術(shù)公司來加速其在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的布局。這一系列的活動(dòng)加速了市場的整合,提高了行業(yè)的競爭力。
事件十:人才爭奪戰(zhàn)加劇
隨著第三代半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展,行業(yè)內(nèi)對(duì)于高級(jí)技術(shù)人才的需求顯著上升。2024年,全球范圍內(nèi)出現(xiàn)了人才爭奪戰(zhàn),特別是在氮化鎵和碳化硅領(lǐng)域的專業(yè)人才受到了極大的青睞。企業(yè)為吸引高級(jí)人才,不斷提高薪資和福利,甚至為關(guān)鍵職位設(shè)立了提前培養(yǎng)機(jī)制。這一現(xiàn)象不僅加速了技術(shù)的進(jìn)步,也為整個(gè)行業(yè)的生態(tài)系統(tǒng)帶來了更多活力。
總之,2024年在全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)脫穎而出的一系列事件,不僅推動(dòng)了技術(shù)的進(jìn)步,也影響了廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。這些事件展示了第三代半導(dǎo)體在現(xiàn)代科技及產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的重要角色,預(yù)示著行業(yè)在未來將繼續(xù)迎來新的發(fā)展機(jī)遇與挑戰(zhàn)。
熱門點(diǎn)擊
- 智能功率模塊(IPM)結(jié)構(gòu)參數(shù)技術(shù)設(shè)計(jì)
- 磁懸浮儲(chǔ)能飛輪技術(shù)結(jié)構(gòu)封裝設(shè)計(jì)及工作原理
- 業(yè)界首款A(yù)R眼鏡Orion參數(shù)技術(shù)結(jié)構(gòu)規(guī)格
- 新品VPU骨聲紋識(shí)別技術(shù)構(gòu)造作用及應(yīng)用分析
- 集成高精度低溫漂信號(hào)鏈模塊參數(shù)結(jié)構(gòu)技術(shù)設(shè)計(jì)
- 模擬電流檢測放大集成分流電阻探究
- 碳化硅二極管及開關(guān)管組成模塊(全碳模塊)應(yīng)用
- 4-8核高性能SPC系列MCU技術(shù)參數(shù)設(shè)計(jì)
- 驅(qū)動(dòng)器和接收器技術(shù)結(jié)構(gòu)封裝設(shè)計(jì)及應(yīng)用區(qū)別
- 2024年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件
推薦技術(shù)資料
- 中國傳媒大學(xué)傳媒博物館開
- 傳媒博物館開館儀式隆童舉行。教育都i國家廣電總局等部門... [詳細(xì)]
- 車載顯示技術(shù)AR
- 2 納米工藝 A18 Pro 芯片參數(shù)技術(shù)應(yīng)
- 新一代 HBM3/HBM3e
- NAND FLASH控制器芯片
- SoC芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)
- 嵌入式存儲(chǔ)芯片PPI Nand
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究