雙向電流測量和累加是由片內(nèi)25m歐姆傳感電阻或外接器件
發(fā)布時間:2023/1/1 21:37:19 訪問次數(shù):115
五種N溝TrenchFET功率MOSFET器件，目標應(yīng)用是單/雙單元鋰離子和鋰聚合物電池盒和電路。
器件包括有兩個芯片大小的功率MOSFET，每占位面積有低的導(dǎo)通電阻。對于盡可能低的低導(dǎo)通電阻應(yīng)用，Siliconix公司提供了微小型的Si8900EDB,4.5V柵驅(qū)動時導(dǎo)通電阻只有24 m歐姆，二平均占位面積為8.07 mm2.
對于微小型Si8902EDB，4.5V柵驅(qū)動時導(dǎo)通電阻只有45 m歐姆，而平均占位面積為3.68 mm2，以用于更小的設(shè)計。
低導(dǎo)通電阻有助于延長電池壽命，增加手提設(shè)備如手機，PDA和尋呼機等的通話和待機時間.
雙向電流測量和累加是由片內(nèi)的25m歐姆傳感電阻或外接器件來實現(xiàn)。DS2761也有可編程的I/O引腳，使主系統(tǒng)能傳感和控制電池盒內(nèi)其它電子，包括開關(guān)，振動監(jiān)視器，揚聲器和LED。
DS2761上提供EEPROM，可鎖定EEPROM和SRAM，用作電池信息存儲。
EEPROM以真正的非易失性的存儲器的方式保存電池數(shù)據(jù)，它受電池嚴重耗盡，突然短路或ESD事件的影響�？涉i定EEPROM，在鎖定以提供不變電池數(shù)據(jù)附加保險時，就變成ROM。SRAM為臨時數(shù)據(jù)提供成本效率的存儲解決方案。
MediaQ公司的MQ-1132控制器有嵌入256K字節(jié)的全64位圖像引擎。它還集成了各種外設(shè)的接口和控制器，如USB主接口和設(shè)備接口，串行外設(shè)接口和32位PCI接口等，能和數(shù)碼相機，數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)品和有藍牙功能的設(shè)備直接相連。這種組合改善了圖像的性能，降低系統(tǒng)的功耗。
AMD的閃存器件支持用在高檔手機和其它手提設(shè)備的54MHz的微處理器，隨機存取時間為70ns,同步存取時間為13.5ns。
五種N溝TrenchFET功率MOSFET器件，目標應(yīng)用是單/雙單元鋰離子和鋰聚合物電池盒和電路。
器件包括有兩個芯片大小的功率MOSFET，每占位面積有低的導(dǎo)通電阻。對于盡可能低的低導(dǎo)通電阻應(yīng)用，Siliconix公司提供了微小型的Si8900EDB,4.5V柵驅(qū)動時導(dǎo)通電阻只有24 m歐姆，二平均占位面積為8.07 mm2.
對于微小型Si8902EDB，4.5V柵驅(qū)動時導(dǎo)通電阻只有45 m歐姆，而平均占位面積為3.68 mm2，以用于更小的設(shè)計。
低導(dǎo)通電阻有助于延長電池壽命，增加手提設(shè)備如手機，PDA和尋呼機等的通話和待機時間.
雙向電流測量和累加是由片內(nèi)的25m歐姆傳感電阻或外接器件來實現(xiàn)。DS2761也有可編程的I/O引腳，使主系統(tǒng)能傳感和控制電池盒內(nèi)其它電子，包括開關(guān)，振動監(jiān)視器，揚聲器和LED。
DS2761上提供EEPROM，可鎖定EEPROM和SRAM，用作電池信息存儲。
EEPROM以真正的非易失性的存儲器的方式保存電池數(shù)據(jù)，它受電池嚴重耗盡，突然短路或ESD事件的影響�？涉i定EEPROM，在鎖定以提供不變電池數(shù)據(jù)附加保險時，就變成ROM。SRAM為臨時數(shù)據(jù)提供成本效率的存儲解決方案。
MediaQ公司的MQ-1132控制器有嵌入256K字節(jié)的全64位圖像引擎。它還集成了各種外設(shè)的接口和控制器，如USB主接口和設(shè)備接口，串行外設(shè)接口和32位PCI接口等，能和數(shù)碼相機，數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)品和有藍牙功能的設(shè)備直接相連。這種組合改善了圖像的性能，降低系統(tǒng)的功耗。
AMD的閃存器件支持用在高檔手機和其它手提設(shè)備的54MHz的微處理器，隨機存取時間為70ns,同步存取時間為13.5ns。
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