新款MCU SS26L1X，這是一款面向多節(jié)電池移動(dòng)設(shè)備控制管理的MCU。

昇生微的RISC-V一共規(guī)劃兩個(gè)系列，一個(gè)是全自研的低功耗/高能耗比系列AndRISC-V0內(nèi)核，另外一個(gè)則是合作開(kāi)發(fā)的高算力特色指令系統(tǒng)AndRISC-V4。

如今在Arm一統(tǒng)天下的局面下，客戶對(duì)于RISC-V的遷移會(huì)存在顧慮，但是昇生微經(jīng)過(guò)了反復(fù)權(quán)衡，認(rèn)為RISC-V是在生態(tài)普適性和國(guó)產(chǎn)自主可控之間非常好的平衡�？紤]到昇生微在消費(fèi)電子產(chǎn)品落地、客戶群以及技術(shù)支持等市場(chǎng)方面，以及CPU和操作系統(tǒng)軟硬件的開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)方面都有一定的積累，因此公司才堅(jiān)持擁抱RISC-V。

在這個(gè)用例中，慣性傳感器檢測(cè)車輛的運(yùn)動(dòng)，并可以使用“AR.markers”調(diào)整AR-HUD光束的位置，以便駕駛員以最佳方式觀看。

另一個(gè)與舒適性相關(guān)的應(yīng)用是主動(dòng)懸架系統(tǒng)，其通過(guò)慣性傳感器采集車輛姿態(tài)信息，經(jīng)過(guò)主動(dòng)懸架控制器計(jì)算，向四輪減震器輸出軟硬不同的阻尼控制，最后通過(guò)控制四個(gè)減震器內(nèi)部的電磁閥來(lái)動(dòng)態(tài)調(diào)整懸架軟硬。

在1200V、40A的測(cè)試條件下，1700V EliteSiC MOSFET的柵極電荷（Qg）達(dá)到領(lǐng)先市場(chǎng)的200nC，而同類競(jìng)爭(zhēng)器件的Qg近300nC。

低Qg對(duì)于在快速開(kāi)關(guān)、高功率可再生能源應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高能效至關(guān)重要。

在1700V的額定擊穿電壓（BV）下，EliteSiC肖特基二極管器件在最大反向電壓（VRRM）和二極管的峰值重復(fù)反向電壓之間提供了更好的余量。

新器件還具有出色的反向漏電流性能，其最大反向電流（IR）在25°C時(shí)僅為40µA，在175°C時(shí)為100µA--明顯優(yōu)于在25°C時(shí)額定值通常為100µA的競(jìng)爭(zhēng)器件。

通過(guò)這兩大系列，把RISC-V“向上向下”的可拓展性優(yōu)勢(shì)利用好。

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