增加效率將與IDT的換向與系統(tǒng)技術(shù)結(jié)合起來(lái)抬高的功率密度
發(fā)布時(shí)間:2023/7/31 23:58:54 訪問(wèn)次數(shù):73
ML-XT系統(tǒng)的其它優(yōu)點(diǎn)還包括,由于插頭和插座外殼預(yù)先組裝有帶蓋額后部密封,所以了減少存貨、裝配所需的時(shí)間和成本。連接器端子的電流額定值最高為13A,采用久經(jīng)考驗(yàn)的Molex XRC™設(shè)計(jì),以確保線束制造商可以利用其已有的裝配工具。
ML-XT系統(tǒng)專(zhuān)為汽車(chē)應(yīng)用領(lǐng)域而設(shè)計(jì),滿足電器布線遇到的對(duì)溫度、振動(dòng)和防護(hù)等級(jí)等的苛刻要求,同時(shí)價(jià)格又極具競(jìng)爭(zhēng)力。由于其優(yōu)異的性能與成本效益,該系列連接器也非常適合汽車(chē)應(yīng)用、惡劣條件下的工業(yè)自動(dòng)化和控制領(lǐng)域,或安裝在室外極冷極熱或極度潮濕條件下的設(shè)備。
氮化鎵的低電容和零QRR加之其芯片級(jí)封裝結(jié)果高效率在高頻率的低電感。它的目的,這種增加效率將與IDT的換向與系統(tǒng)技術(shù)結(jié)合起來(lái),抬高的功率密度,并提供優(yōu)勢(shì)的通信和計(jì)算基礎(chǔ)設(shè)施。
無(wú)線供電 - 聯(lián)盟無(wú)線電源(A4WP)聯(lián)合體協(xié)議的高度共振無(wú)線功率傳輸標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行操作為6.78MHz,在氮化鎵的高速,低損耗的開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)器的能力,以高效的解決方案有線的水平。
結(jié)合EPC的氮化鎵的專(zhuān)業(yè)知識(shí)和IDT的解決方案,精密旨在提供一個(gè)高效,具有成本競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案,推動(dòng)廣泛采用無(wú)線供電的。
CoolMOS C7可降低超大型數(shù)據(jù)中心和電信基站等要求提高效率和降低TCO的應(yīng)用的開(kāi)關(guān)損耗。CoolMOS C7可使PFC和LLC拓?fù)涞男史謩e提高0.3%-0.7%和0.1%,這有利于顯著降低總擁有成本。對(duì)于2.5 kW的服務(wù)器PSU,使用C7 600 V MOSFET可將因PSU能量損失導(dǎo)致的能源成本降低10%左右。
在企業(yè)服務(wù)器等關(guān)注組件和其他成本的應(yīng)用中,CoolMOS C7 600 V器件可幫助降低磁性元件成本。由于柵極電荷和輸出電容顯著降低,C7的開(kāi)關(guān)頻率是CoolMOS™ CP的兩倍,但效率僅稍遜于CoolMOS™ CP。這有助于最大限度縮小磁性元件尺寸,降低組件總成本。比如,開(kāi)關(guān)頻率從65 kHz增大一倍至130 kHz時(shí),磁性元件成本可降低30%之多。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
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氮化鎵的低電容和零QRR加之其芯片級(jí)封裝結(jié)果高效率在高頻率的低電感。它的目的,這種增加效率將與IDT的換向與系統(tǒng)技術(shù)結(jié)合起來(lái),抬高的功率密度,并提供優(yōu)勢(shì)的通信和計(jì)算基礎(chǔ)設(shè)施。
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結(jié)合EPC的氮化鎵的專(zhuān)業(yè)知識(shí)和IDT的解決方案,精密旨在提供一個(gè)高效,具有成本競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案,推動(dòng)廣泛采用無(wú)線供電的。
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