最新一代BiCS FLASHTM三維(3D)閃存存儲(chǔ)器，采用了堆棧式單元結(jié)構(gòu)。

該款64層工藝的存儲(chǔ)器于今天成為了世界首款樣品出貨的產(chǎn)品。新型存儲(chǔ)器采用3-bit-per-cell(1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元可存放3比特的數(shù)據(jù))技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了256Gbit(32GB)的容量。

兩款新品都使用臺(tái)積電的28納米工藝而不是最新的16納米工藝制造。其中Earth是面向低端，有4核和16核兩種配置。Mars是面向高端，使用了64個(gè)核心，每個(gè)核心有512KB L2緩存，共享128BM L3緩存，工作主頻1.5GHz～2.0GHz，最大功耗100W。

這種進(jìn)步印證了專有架構(gòu)的潛力,將不斷精進(jìn)BiCS FLASHTM制造工藝，其發(fā)展藍(lán)圖中的下一個(gè)里程碑將是同樣采用64層堆棧的512Gbit(64GB)容量存儲(chǔ)器。

這款新型存儲(chǔ)器沿襲48層BiCS FLASHTM，并采用領(lǐng)先的64層堆疊工藝，使每個(gè)單元芯片的容量比48層堆疊工藝增加40%，在降低每比特成本的同時(shí)提高每個(gè)硅晶圓的存儲(chǔ)容量的可加工性。

64層BiCS FLASHTM滿足嚴(yán)格的性能規(guī)范，將用于包括企業(yè)級(jí)SSD和消費(fèi)級(jí)SSD、智能手機(jī)、臺(tái)式電腦和存儲(chǔ)卡等存儲(chǔ)相關(guān)應(yīng)用。

在長寬各為55毫米的封裝內(nèi)、長25.38毫米和寬25.2毫米的硅半導(dǎo)體管芯上，借助28納米集成電路線寬工藝，這一處理器集成了48億個(gè)晶體管。

X86處理器采用“復(fù)雜指令集計(jì)算機(jī)”(CISC)架構(gòu)，而ARM架構(gòu)處理器屬于“精簡指令集計(jì)算機(jī)”(RISC)，所需晶體管數(shù)量較少，運(yùn)行效率較高，成本和功耗也較低，更適合于智能移動(dòng)設(shè)備、高性能服務(wù)器等。

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