FlexE Tunnel技術(shù)實(shí)現(xiàn)了單節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)發(fā)時(shí)延最低小于0.5us
發(fā)布時(shí)間:2023/7/31 8:43:00 訪問(wèn)次數(shù):103
Cloud VR應(yīng)用對(duì)高數(shù)據(jù)速率和低延遲連接有所要求。WiGig可以提供高達(dá)7Gbps的連接，這將在室內(nèi)使用高帶寬應(yīng)用方面發(fā)揮重要作用。
高容量，低延遲的5G網(wǎng)絡(luò)對(duì)于手機(jī)和獨(dú)立VR設(shè)備安裝Cloud VR應(yīng)用而言至關(guān)重要。
可見光感光度的新款高速硅PIN光電二極管---VEMD5510C和VEMD5510CF。Vishay Semiconductors VEMD5510C和VEMD5510CF帶有抑制紅外輻射的濾波器和提高信噪比的黑色封裝，具有快速的開關(guān)時(shí)間和小電容，采用小尺寸的頂視表面貼裝封裝。
光電二極管的感光面積達(dá)到7.5mm2，VEMD5510C的感光范圍為440nm～700nm，VEMD5510CF的感光范圍為440nm～620nm，反向光電流分別為0.6μA和0.25μA。器件的片上抑制濾波器可消除非可見光的干擾，同時(shí)黑色封裝屏蔽了多余的側(cè)面光。
通過(guò)采用這些技術(shù)，使VEMD5510C對(duì)波長(zhǎng)超過(guò)800nm的輻射和VEMD5510CF對(duì)波長(zhǎng)超過(guò)700nm的輻射的光譜感光度小于5%，非常接近人眼。
與國(guó)際主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手產(chǎn)品比較，ELF2的功能、性能配置更加適合中國(guó)的工控、通信等市場(chǎng)需求，也符合IOT等應(yīng)用超低靜態(tài)功耗的需求。
此外還完成了CPRI/eCPRI及Backhaul業(yè)務(wù)的綜合承載測(cè)試，體現(xiàn)了5G Flexhaul方案前傳、回傳統(tǒng)一承載特色，獲得了Telefonica專家的高度評(píng)價(jià)。
FlexE Tunnel技術(shù)通過(guò)對(duì)FlexE的創(chuàng)新擴(kuò)展，將FlexE從點(diǎn)對(duì)點(diǎn)接口技術(shù)拓展為端到端組網(wǎng)技術(shù)，并支持超低時(shí)延轉(zhuǎn)發(fā)以及99.9999%的工業(yè)級(jí)超高可靠性。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
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高容量，低延遲的5G網(wǎng)絡(luò)對(duì)于手機(jī)和獨(dú)立VR設(shè)備安裝Cloud VR應(yīng)用而言至關(guān)重要。
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光電二極管的感光面積達(dá)到7.5mm2，VEMD5510C的感光范圍為440nm～700nm，VEMD5510CF的感光范圍為440nm～620nm，反向光電流分別為0.6μA和0.25μA。器件的片上抑制濾波器可消除非可見光的干擾，同時(shí)黑色封裝屏蔽了多余的側(cè)面光。
通過(guò)采用這些技術(shù)，使VEMD5510C對(duì)波長(zhǎng)超過(guò)800nm的輻射和VEMD5510CF對(duì)波長(zhǎng)超過(guò)700nm的輻射的光譜感光度小于5%，非常接近人眼。
與國(guó)際主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手產(chǎn)品比較，ELF2的功能、性能配置更加適合中國(guó)的工控、通信等市場(chǎng)需求，也符合IOT等應(yīng)用超低靜態(tài)功耗的需求。
此外還完成了CPRI/eCPRI及Backhaul業(yè)務(wù)的綜合承載測(cè)試，體現(xiàn)了5G Flexhaul方案前傳、回傳統(tǒng)一承載特色，獲得了Telefonica專家的高度評(píng)價(jià)。
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