網(wǎng)絡處理等應用中受益于在不同系統(tǒng)架構(gòu)中無縫移動數(shù)據(jù)加速器引擎
發(fā)布時間:2023/8/6 23:59:37 訪問次數(shù):48
CPU處理器擅長通用任務處理,GPU這樣的處理器則擅長專用處理,但浮點性能極強,CPU+GPU這樣的異構(gòu)運算在當前已不鮮見,而它只是主處理器+加速器架構(gòu)中的一種,其他還有CPU+FPGA、CPU+網(wǎng)絡芯片等等。
出于功耗及空間方面的考慮,數(shù)據(jù)中心等應用中已經(jīng)開始使用加速器,大數(shù)據(jù)分析、搜索、機器學習、NFV(網(wǎng)絡虛擬化)、4G/5G無線、內(nèi)存內(nèi)數(shù)據(jù)處理、視頻分析及網(wǎng)絡處理等應用中已經(jīng)受益于可在不同系統(tǒng)架構(gòu)中無縫移動數(shù)據(jù)的加速器引擎。
新一代整流管和MOSFET晶體管。新產(chǎn)品可用于高壓功率模塊和分立功率解決方案,包括牽引變頻器、車載充電器和輔助直流-直流轉(zhuǎn)換器。
目前,功率模塊通常主要依賴于標準硅二極管和隔離柵雙極晶體管(IGBT)。
碳化硅是一項較新的寬帶隙技術(shù),可使功率模塊尺寸變得更小,而工作電壓遠高于今天電動汽車和混動汽車動力總成的400V電壓。碳化硅二極管和晶體管的結(jié)構(gòu)縮小,內(nèi)部電阻隨之變低,響應速度較標準硅產(chǎn)品更快,實現(xiàn)電能損耗最小化,使相關器件尺寸縮小,節(jié)省空間,降低重量。
主要整車企業(yè)和零配件一級供應商正在將碳化硅技術(shù)用于未來產(chǎn)品研發(fā),發(fā)揮其在各種工作場景中總體效率高于標準硅器件的優(yōu)勢。
額定電流和外觀尺寸更小的TO-220封裝。STPSC10H12D 1200V碳化硅二極管正在向大客戶提供樣片,采用TO-220AC封裝,還將提供6A至20A額定電流和多種封裝選擇。SCTW100N65G2AG 650V碳化硅MOSFET正在向大客戶提供樣片,采用HiP247封裝,為讓開發(fā)人員實現(xiàn)更緊湊的設計,650V碳化硅MOSFET H2PAK貼裝版。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
CPU處理器擅長通用任務處理,GPU這樣的處理器則擅長專用處理,但浮點性能極強,CPU+GPU這樣的異構(gòu)運算在當前已不鮮見,而它只是主處理器+加速器架構(gòu)中的一種,其他還有CPU+FPGA、CPU+網(wǎng)絡芯片等等。
出于功耗及空間方面的考慮,數(shù)據(jù)中心等應用中已經(jīng)開始使用加速器,大數(shù)據(jù)分析、搜索、機器學習、NFV(網(wǎng)絡虛擬化)、4G/5G無線、內(nèi)存內(nèi)數(shù)據(jù)處理、視頻分析及網(wǎng)絡處理等應用中已經(jīng)受益于可在不同系統(tǒng)架構(gòu)中無縫移動數(shù)據(jù)的加速器引擎。
新一代整流管和MOSFET晶體管。新產(chǎn)品可用于高壓功率模塊和分立功率解決方案,包括牽引變頻器、車載充電器和輔助直流-直流轉(zhuǎn)換器。
目前,功率模塊通常主要依賴于標準硅二極管和隔離柵雙極晶體管(IGBT)。
碳化硅是一項較新的寬帶隙技術(shù),可使功率模塊尺寸變得更小,而工作電壓遠高于今天電動汽車和混動汽車動力總成的400V電壓。碳化硅二極管和晶體管的結(jié)構(gòu)縮小,內(nèi)部電阻隨之變低,響應速度較標準硅產(chǎn)品更快,實現(xiàn)電能損耗最小化,使相關器件尺寸縮小,節(jié)省空間,降低重量。
主要整車企業(yè)和零配件一級供應商正在將碳化硅技術(shù)用于未來產(chǎn)品研發(fā),發(fā)揮其在各種工作場景中總體效率高于標準硅器件的優(yōu)勢。
額定電流和外觀尺寸更小的TO-220封裝。STPSC10H12D 1200V碳化硅二極管正在向大客戶提供樣片,采用TO-220AC封裝,還將提供6A至20A額定電流和多種封裝選擇。SCTW100N65G2AG 650V碳化硅MOSFET正在向大客戶提供樣片,采用HiP247封裝,為讓開發(fā)人員實現(xiàn)更緊湊的設計,650V碳化硅MOSFET H2PAK貼裝版。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
熱門點擊
- IGBT模塊構(gòu)成牽引變流器及輔助電源系統(tǒng)恒壓
- 2.5Gbps銅線技術(shù)產(chǎn)品能夠在CAT5E/
- 價格低廉且簡單易用具有NFC數(shù)據(jù)交互功能的存
- 脈沖峰值功率耗散性能使SMF4L產(chǎn)品緊湊型設
- 超亮硅上AllnGaP芯片技術(shù)亮度業(yè)內(nèi)最高發(fā)
- 28nm工藝下晶片面積小至1.5mm2具有成
- 單一組合晶片將耗電量降到最低讓行動裝置獲得更
- 功率晶體結(jié)構(gòu)和尺寸緊湊且高熱效率PowerF
- 輸入和輸出FIFO要2個BRAM72K存儲塊
- 分離DC-26.5GHz多頻段接收器/發(fā)射器