任務(wù)關(guān)鍵數(shù)據(jù)更新擦寫或鎖定成只讀模式大幅提高數(shù)據(jù)安全性
發(fā)布時間:2023/8/22 21:37:40 訪問次數(shù):113
nvSRAM符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，可直接替代SRAM、帶電池的SRAM、EPROM和EEPROM器件，無需電池即可提供可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲功能。掉電時，數(shù)據(jù)會自動從SRAM傳輸?shù)皆撈骷姆且资詥卧�。供電恢�?fù)后，數(shù)據(jù)可從非易失性單元恢復(fù)到SRAM。這兩個操作也可均由軟件控制。
關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng)需要能在掉電瞬間立即可靠地保存數(shù)據(jù)的高性能存儲器。
新款1Mb Quad SPI nvSRAM具有在掉電時保護(hù)數(shù)據(jù)安全的能力，其數(shù)據(jù)吞吐量可媲美并行器件，并且尺寸更小，功耗更低。
這一新款nvSRAM的四個SPI接口使得該器件可以在尺寸更小的情況下，超越尺寸更大的并行接口器件的數(shù)據(jù)吞吐量。該款nvSRAM可為RAID存儲設(shè)備、工業(yè)自動化、計算和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用在掉電時，無需電池即可保存大吞吐量的數(shù)據(jù)。
四SPI接口CY14V101QS 1Mb nvSRAM的最高時鐘頻率為108MHz，其性能超過了并行接口（x8 IO 寬度, 45-ns 訪問時間）器件。
意法半導(dǎo)體的M95M02-A125 EEPROMs通過了AEC-Q100 1級可靠性標(biāo)準(zhǔn)測試，擁有2.5V工作電壓，工作溫度高達(dá) 125°C。新產(chǎn)品將汽車級EEPROM容量從2K提高到2Mbit，采用單一SO8N尺寸封裝，有助于提高設(shè)計的總體靈活性。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
nvSRAM符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，可直接替代SRAM、帶電池的SRAM、EPROM和EEPROM器件，無需電池即可提供可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲功能。掉電時，數(shù)據(jù)會自動從SRAM傳輸?shù)皆撈骷姆且资詥卧９╇娀謴?fù)后，數(shù)據(jù)可從非易失性單元恢復(fù)到SRAM。這兩個操作也可均由軟件控制。
關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng)需要能在掉電瞬間立即可靠地保存數(shù)據(jù)的高性能存儲器。
新款1Mb Quad SPI nvSRAM具有在掉電時保護(hù)數(shù)據(jù)安全的能力，其數(shù)據(jù)吞吐量可媲美并行器件，并且尺寸更小，功耗更低。
這一新款nvSRAM的四個SPI接口使得該器件可以在尺寸更小的情況下，超越尺寸更大的并行接口器件的數(shù)據(jù)吞吐量。該款nvSRAM可為RAID存儲設(shè)備、工業(yè)自動化、計算和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用在掉電時，無需電池即可保存大吞吐量的數(shù)據(jù)。
四SPI接口CY14V101QS 1Mb nvSRAM的最高時鐘頻率為108MHz，其性能超過了并行接口（x8 IO 寬度, 45-ns 訪問時間）器件。
意法半導(dǎo)體的M95M02-A125 EEPROMs通過了AEC-Q100 1級可靠性標(biāo)準(zhǔn)測試，擁有2.5V工作電壓，工作溫度高達(dá) 125°C。新產(chǎn)品將汽車級EEPROM容量從2K提高到2Mbit，采用單一SO8N尺寸封裝，有助于提高設(shè)計的總體靈活性。
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