新型射頻前端解決方案，支持高通(Qualcomm)*最新發(fā)布的3G芯片組。

利用其專利制造工藝－銅凸倒裝晶片(CuFlip™)和TQBiHEMT－來設計性能，尺寸，效率均優(yōu)的TRITON系列產品。CuFlip工藝具有卓越的射頻性能與設計靈活性，同時加快制造和裝配；TQBiHEMT工藝使兩個砷化鎵（GaAs）進程集成到一個單芯片，減少元件數并節(jié)省電路板空間。

這些流程可以讓單個芯片的模塊來提供一個集成特性， 而現今市場所有其他的解決方案需要多個芯片和/或復雜的裝配過程，TriQuint的解決方案有著無法比擬的優(yōu)勢。

高速SPI接口的90nm相變存儲器，集串行NOR閃存和EEPROM兩大存儲器的技術優(yōu)點于一身，具有字節(jié)修改功能以及更高的寫入速度和耐寫性能。

新存儲器支持字節(jié)修改功能，執(zhí)行寫操作無需再擦除大數據區(qū)塊，從而使數據處理和軟件編程變得更容易。覆寫即“無擦除”功能讓工程師和設計人員能夠簡化軟件開發(fā)任務，提升系統(tǒng)性能，將存儲器寫時間縮短到閃存的三百分之一。

新產品Omneo P5Q的耐寫次數達到100萬次，可寫數據的量次是閃存的10倍。

小占位、四端口、可提供16.5kV ESD保護、具有寬電壓和寬溫范圍的RS-485和RS-422接收器 --- ISL3217x和ISL3227x系列。

新IC的±16.5kV ESD保護均達到了業(yè)內最佳的ESD等級，滿足HBM和IEC61000-4-2標準對接收器輸入的要求。新的ISL32177和ISL32277包括一個邏輯VL供電引腳。

四端口接收器可以和Intersil的四端口發(fā)送器ISL32172/7/9和ISL32272/4成對使用，實現完整的點到點4通道解決方案。