MCP8024可在6V至28V的較大電壓范圍內(nèi)運(yùn)行，可承受高達(dá)48V的瞬態(tài)電壓。該器件為一個(gè)完整的電機(jī)系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供高度集成的模擬模塊，包括三個(gè)電流傳感運(yùn)算放大器、一個(gè)過(guò)流比較器、多個(gè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器和一個(gè)雙向通信接口。

對(duì)外部MOSFET的可配置驅(qū)動(dòng)器死區(qū)管理、驅(qū)動(dòng)器消隱時(shí)間控制以及過(guò)流限制（OCL），顯著提高了靈活性。可調(diào)節(jié)的降壓型直流-直流轉(zhuǎn)換器憑借開關(guān)電源的高效率優(yōu)勢(shì)，可為各種單片機(jī)供電。

此外，從-40°C至+150°C的寬工作溫度范圍（高溫范圍）使得MCP8024可以在汽車引擎蓋下等惡劣環(huán)境中使用。

HCM的160GB/s帶寬相當(dāng)于DDR2模塊的15倍，功耗則比現(xiàn)有技術(shù)低出達(dá)70%。它所占據(jù)的空間也比RDIMM低出約九成。

一塊DRAM芯片結(jié)合了流程所必需的內(nèi)存與邏輯功能,將DRAM芯片層彼此堆疊，那么邏輯電路也將出現(xiàn)重復(fù)。HMC給出的方案是將邏輯電路從各芯片當(dāng)中去除，轉(zhuǎn)而使用一個(gè)位于芯片底部的基礎(chǔ)邏輯層，從而為HMC當(dāng)中每一個(gè)DRAM層提供相應(yīng)功能。

五模十頻終端是指支持TD-LTE、LTEFDD、TD-SCDMA、WCDMA、GSM五種通信模式，支持TD-LTEBand38/39/40，TD-SCDMABand34/39，WCDMA Band1/2/5，LTE FDD Band7/3，GSM Band2/3/8等10個(gè)頻段.

熱增強(qiáng)型40引腳5mmx5mm QFN封裝和48引腳TQFP 7mmx7mm封裝。MCP8024非常適合廣泛應(yīng)用于汽車市場(chǎng)（如暖通空調(diào)鼓風(fēng)機(jī)和泵），以及工業(yè)市場(chǎng)（如風(fēng)扇、運(yùn)動(dòng)控制和機(jī)器人）等。

汽車和工業(yè)市場(chǎng)一直期盼有一個(gè)將高性能、高集成度、更快上市和更高靈活性集于一體的兼具成本效益的解決方案。

MCP8024憑借其集成的穩(wěn)壓器、電流傳感放大器和過(guò)電保護(hù)，成為一款可與各種MCU、DSC和FPGA配合使用來(lái)達(dá)到這一期盼的理想候選器件。通過(guò)將該新器件與dsPIC DSC或PIC單片機(jī)相結(jié)合，Microchip可幫助客戶解決問題，為客戶提供完整的電機(jī)解決方案。

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