箔電阻不僅限于提供標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值的產(chǎn)品，也可以提供“用戶所需”數(shù)值的產(chǎn)品(如100.123kΩ對(duì)100kΩ)，且無(wú)需額外的成本和交貨時(shí)間，因此Vishay可以把S555做為RNC90Y的替代產(chǎn)品提供給用戶。

這些電阻的結(jié)構(gòu)保證了高水平的可靠性，能夠更好地抵御熱沖擊、潮濕、機(jī)械沖擊和振動(dòng)。

這些電阻具有絕佳的ESD免疫能力，可承受25kV的靜電放電，提高可靠性，并實(shí)現(xiàn)無(wú)感(< 0.08 μH)和無(wú)容設(shè)計(jì)。

RNC90Y只提供錫鉛合金端子，引腳間距為0.15英寸，引腳間距為0.2英寸的型號(hào)是RNC90T。

非QPL版的S555電阻采用了特殊的調(diào)節(jié)工藝，提供給那些需要更高或更低阻值，同時(shí)也需要與RNC90Y相同或更好性能的客戶來(lái)使用。

通過(guò)認(rèn)證和未認(rèn)證的型號(hào)均是在同樣的生產(chǎn)線上制造出來(lái)的，采用同樣的制造工藝、批號(hào)控制和調(diào)節(jié)，并且是100%進(jìn)行了Group A篩選。認(rèn)證型號(hào)還接受了MIL Group B和C標(biāo)準(zhǔn)的額外測(cè)試。

功率元件加強(qiáng)實(shí)現(xiàn)更高耐壓、更大電流的SiC元件/模塊的產(chǎn)品陣容的同時(shí)，不斷推進(jìn)完善SiC 溝槽式MOSFET和SiC-IPM（智能電源模塊）等SiC相關(guān)產(chǎn)品的陣容與量產(chǎn)化。

每種器件的尺寸為0.105英寸x0.300英寸(2.67mmx7.62mm)，高度為0.326英寸(8.28mm)，典型重量為0.6g。

采用其他技術(shù)的電阻需要數(shù)秒鐘乃至數(shù)分鐘才能達(dá)到穩(wěn)態(tài)的熱穩(wěn)定，而RNC90Y和S555器件幾乎可以立刻達(dá)到熱穩(wěn)定，時(shí)間還不到1秒鐘，短到1ns的上升時(shí)間幾乎無(wú)法測(cè)量，而且沒(méi)有振鈴現(xiàn)象。

這些用于模擬應(yīng)用的終極電阻能夠應(yīng)付地上和地下各種非常規(guī)的環(huán)境條件，且漂移極小。

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