角度檢測(cè)應(yīng)用中具備強(qiáng)大IC保護(hù)功能器件滿(mǎn)足嚴(yán)格汽車(chē)應(yīng)用需求
發(fā)布時(shí)間:2023/9/9 15:08:08 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):291
獨(dú)創(chuàng)的缺陷控制技術(shù)和篩選法，使可靠性得以確保。針對(duì)SiC制備過(guò)程中特有的1700℃高溫工序,為了防止其發(fā)生特性劣化,開(kāi)發(fā)了控制技術(shù),確立了“全SiC”功率模塊的量產(chǎn)體制。
內(nèi)置最先進(jìn)的SiC-SBD和SiC-MOSFET兩種元件，與傳統(tǒng)的Si-IGBT模塊相比，可以將電力轉(zhuǎn)換時(shí)的損耗降低85％。
另外，與IGBT模塊相比，在10倍于其的頻率－100kHz以上的高頻環(huán)境下工作成為可能。該產(chǎn)品的額定電流為100A，通過(guò)高速開(kāi)關(guān)和低損耗化，可以與額定電流為200～400A的Si-IGBT模塊進(jìn)行替換。
通過(guò)設(shè)計(jì)和工藝的改善，開(kāi)發(fā)出散熱性卓越的模塊。替換傳統(tǒng)的400A級(jí)別的Si-IGBT模塊時(shí)，體積可減小約50％。
由于損耗低，因此發(fā)熱少，可減小外置的冷卻裝置體積，從而非常有助于設(shè)備整體的小型化。
開(kāi)關(guān)損耗降低85％，內(nèi)置了最先進(jìn)的SiC-SBD與SiC-MOSFET的“全SiC”模塊，與傳統(tǒng)的Si-IGBT相比，開(kāi)關(guān)損耗可降低85％。磁旋轉(zhuǎn)編碼器IC AS5163，這是角度檢測(cè)應(yīng)用中首款具備強(qiáng)大IC保護(hù)功能的器件，以滿(mǎn)足嚴(yán)格的汽車(chē)應(yīng)用需求。
內(nèi)部閃存采用了使用壽命長(zhǎng)的SLC閃存,加上GBDriver RS3強(qiáng)大的糾錯(cuò)功能、斷電容錯(cuò)算法,數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)功能以及自動(dòng)刷新功能(AR)從而實(shí)現(xiàn)了信賴(lài)性高、使用壽命長(zhǎng)的SSD設(shè)備。
單芯片電能計(jì)量AFE（模擬前端）ADE7816，它最多能監(jiān)控6個(gè)電路的能耗及電能質(zhì)量。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
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另外，與IGBT模塊相比，在10倍于其的頻率－100kHz以上的高頻環(huán)境下工作成為可能。該產(chǎn)品的額定電流為100A，通過(guò)高速開(kāi)關(guān)和低損耗化，可以與額定電流為200～400A的Si-IGBT模塊進(jìn)行替換。
通過(guò)設(shè)計(jì)和工藝的改善，開(kāi)發(fā)出散熱性卓越的模塊。替換傳統(tǒng)的400A級(jí)別的Si-IGBT模塊時(shí)，體積可減小約50％。
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