TLE8458Gx在較寬頻率范圍內(nèi)實現(xiàn)非常低電磁輻射(EME)水平
發(fā)布時間:2023/9/10 16:03:18 訪問次數(shù):251
雙路多相同步降壓DC/DC控制器,能驅(qū)動所有的N溝功率MOSFET,輸入電壓從4.5V到38V,基準電壓0.6V,精度±0.75%,可鎖相的固定頻率從250kHz到770kHz,可編程的突發(fā)模式或級屏蔽,以獲得輕負載的最大效率.效率高達95%.
主要用在電信和數(shù)據(jù)通信,工業(yè)和醫(yī)療設(shè)備,DC電源分布系統(tǒng)和計算機系統(tǒng).
集成的高邊調(diào)光p溝道MOSFET驅(qū)動器和高邊電流檢測放大器可檢測短路故障，并在發(fā)生短路故障時保護LED、驅(qū)動器和電池。在輸出與地、輸入與輸出之間均提供該短路保護電路。
Infineon的SPT智能電源技術(shù),TLE8458Gx具有較強的ESD耐用性以及電磁抗擾性（EMI）.TLE8458Gx在較寬的頻率范圍內(nèi)實現(xiàn)了非常低的電磁輻射（EME）水平.
TLE8458Gx產(chǎn)品系列和Infineon SPT技術(shù)符合ACE要求,并可應(yīng)用于相對惡劣汽車環(huán)境中。
超高速USB3.0解決方案，該方案為整體的方案，包括主芯片、接頭、電纜線、閃存、穩(wěn)壓等我們并可提供線路布線及技術(shù)支持。
USB3.0方案之特點是能使SATA-II超高速地與外部設(shè)備連接通訊，而其傳輸速度是USB2.0的10倍以上并且兼容現(xiàn)有的USB2.0與USB1.1。
在射頻芯片方面，在TD領(lǐng)域表現(xiàn)良好的廣晟微電子的工程樣片已經(jīng)流片，但是根據(jù)芯片廠商的說法，目前TD- LTE射頻芯片嚴重缺失，專用射頻芯片入門條件很高，普通的射頻芯片無法滿足測試，現(xiàn)在大多廠商都在使用聯(lián)芯科技提供的一款射頻芯片。
在此次TD-LTE工作組組織的測試中，基于ASIC的海思及創(chuàng)毅視訊、基于FPGA的重郵信科、聯(lián)芯科技及蘇州簡約納等6家芯片廠商參與了與系統(tǒng)的互通測試。
階段性的測試結(jié)果顯示，目前芯片的進展不是很樂觀，芯片進度需要進一步加快。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
雙路多相同步降壓DC/DC控制器,能驅(qū)動所有的N溝功率MOSFET,輸入電壓從4.5V到38V,基準電壓0.6V,精度±0.75%,可鎖相的固定頻率從250kHz到770kHz,可編程的突發(fā)模式或級屏蔽,以獲得輕負載的最大效率.效率高達95%.
主要用在電信和數(shù)據(jù)通信,工業(yè)和醫(yī)療設(shè)備,DC電源分布系統(tǒng)和計算機系統(tǒng).
集成的高邊調(diào)光p溝道MOSFET驅(qū)動器和高邊電流檢測放大器可檢測短路故障，并在發(fā)生短路故障時保護LED、驅(qū)動器和電池。在輸出與地、輸入與輸出之間均提供該短路保護電路。
Infineon的SPT智能電源技術(shù),TLE8458Gx具有較強的ESD耐用性以及電磁抗擾性（EMI）.TLE8458Gx在較寬的頻率范圍內(nèi)實現(xiàn)了非常低的電磁輻射（EME）水平.
TLE8458Gx產(chǎn)品系列和Infineon SPT技術(shù)符合ACE要求,并可應(yīng)用于相對惡劣汽車環(huán)境中。
超高速USB3.0解決方案，該方案為整體的方案，包括主芯片、接頭、電纜線、閃存、穩(wěn)壓等我們并可提供線路布線及技術(shù)支持。
USB3.0方案之特點是能使SATA-II超高速地與外部設(shè)備連接通訊，而其傳輸速度是USB2.0的10倍以上并且兼容現(xiàn)有的USB2.0與USB1.1。
在射頻芯片方面，在TD領(lǐng)域表現(xiàn)良好的廣晟微電子的工程樣片已經(jīng)流片，但是根據(jù)芯片廠商的說法，目前TD- LTE射頻芯片嚴重缺失，專用射頻芯片入門條件很高，普通的射頻芯片無法滿足測試，現(xiàn)在大多廠商都在使用聯(lián)芯科技提供的一款射頻芯片。
在此次TD-LTE工作組組織的測試中，基于ASIC的海思及創(chuàng)毅視訊、基于FPGA的重郵信科、聯(lián)芯科技及蘇州簡約納等6家芯片廠商參與了與系統(tǒng)的互通測試。
階段性的測試結(jié)果顯示，目前芯片的進展不是很樂觀，芯片進度需要進一步加快。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
相關(guān)技術(shù)資料- 1-2碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管（SiC JFET）技術(shù)
- 1-224GB Battlemage GPU模塊參數(shù)應(yīng)用設(shè)
- 1-2高速總線 MIPI D-PHY 的技術(shù)結(jié)構(gòu)參數(shù)應(yīng)用測試
- 1-2新一代高精度示波器——HD3
- 1-2Secure Enclave芯片結(jié)構(gòu)應(yīng)用探究
- 1-2Snapdragon AR1芯片組
- 12-31新品4MP圖像傳感器系列應(yīng)用探究
- 12-31高性能SoC智能傳感芯片技術(shù)設(shè)計參數(shù)
- 12-31分立器件&無源元件選型參數(shù)技術(shù)及應(yīng)用
- 12-31SRAM存算一體芯片發(fā)展趨勢及市場應(yīng)用
- 12-31大功率雙向 48 V-12 V DC/D C轉(zhuǎn)換器
- 12-31單速率(Single Rate)信號處理設(shè)計簡述
熱門點擊
推薦技術(shù)資料
- 碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管（SiC JFET）技
- 24GB Battlemage
- 高速總線 MIPI D-PHY 的技術(shù)結(jié)構(gòu)參
- 新一代高精度示波器——HD3
- Secure Enclave芯
- Snapdragon AR1芯片組
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
