ASIC內(nèi)整合低電阻主導體實現(xiàn)直接電流測量和始終如一絕緣性能
發(fā)布時間:2023/9/15 22:38:24 訪問次數(shù):68
TSOP33xxx系列在0°下的典型輻射量低至0.08mW/m2,TSOP53xxx系列為0.12mW/m2。
為簡化設計,TSOP33xxx和TSOP53xxx系列器件將1顆光探測器、前置放大器電路和紅外濾波器放進單片3pin的環(huán)氧樹脂封裝里。
接收器的供電電壓為2.5V~5.5V;TSOP33xxx系列的典型供電電流為0.35mA,TSOP53xxx系列為0.7mA;傳輸距離高達45米;載波頻率從30kHz到56kHz。器件提高了對環(huán)境光的抑制能力,對供電電壓波動和紋波噪聲不敏感。
GHS模型簡便易用,在ASIC內(nèi)整合了低電阻主導體(將功率損耗降至最低水平),實現(xiàn)了直接電流測量和始終如一的絕緣性能,同時還提供了高爬電距離和電氣間隙。
GHS系列采用獨特的包裝,性能高,是任何能得益于隔離電流測量、高性能經(jīng)濟型解決方案的應用的理想之選,例如白家電或空調(diào).GHS還實現(xiàn)了增強型電機控制,降低了能耗。
GHS模型設計用于各種其他應用,包括不間斷與開關模式電源、家用電器、面向DC電機驅(qū)動器的靜態(tài)轉(zhuǎn)換器和機器人。
這些設計能夠在802.11無線網(wǎng)絡范圍內(nèi)產(chǎn)生高品質(zhì)發(fā)送信號,同時放大噪聲因數(shù)低至2.5dB的接收信號,從而產(chǎn)生盡可能最高的數(shù)據(jù)速率。這些放大器的典型發(fā)射增益水平為20~23dB,增益平坦度為±0.5dB。
10納米及以下的掩膜技術推出了三款先進的光罩檢測系統(tǒng),Teron™640、Teron™SL655和光罩決策中心(RDC)。所有這三套系統(tǒng)是實現(xiàn)當前和下一代掩膜設計的關鍵,使得光罩廠和集成電路晶圓廠能夠更高效地辨識光刻中顯著并嚴重損害成品率的缺陷。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
TSOP33xxx系列在0°下的典型輻射量低至0.08mW/m2,TSOP53xxx系列為0.12mW/m2。
為簡化設計,TSOP33xxx和TSOP53xxx系列器件將1顆光探測器、前置放大器電路和紅外濾波器放進單片3pin的環(huán)氧樹脂封裝里。
接收器的供電電壓為2.5V~5.5V;TSOP33xxx系列的典型供電電流為0.35mA,TSOP53xxx系列為0.7mA;傳輸距離高達45米;載波頻率從30kHz到56kHz。器件提高了對環(huán)境光的抑制能力,對供電電壓波動和紋波噪聲不敏感。
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GHS系列采用獨特的包裝,性能高,是任何能得益于隔離電流測量、高性能經(jīng)濟型解決方案的應用的理想之選,例如白家電或空調(diào).GHS還實現(xiàn)了增強型電機控制,降低了能耗。
GHS模型設計用于各種其他應用,包括不間斷與開關模式電源、家用電器、面向DC電機驅(qū)動器的靜態(tài)轉(zhuǎn)換器和機器人。
這些設計能夠在802.11無線網(wǎng)絡范圍內(nèi)產(chǎn)生高品質(zhì)發(fā)送信號,同時放大噪聲因數(shù)低至2.5dB的接收信號,從而產(chǎn)生盡可能最高的數(shù)據(jù)速率。這些放大器的典型發(fā)射增益水平為20~23dB,增益平坦度為±0.5dB。
10納米及以下的掩膜技術推出了三款先進的光罩檢測系統(tǒng),Teron™640、Teron™SL655和光罩決策中心(RDC)。所有這三套系統(tǒng)是實現(xiàn)當前和下一代掩膜設計的關鍵,使得光罩廠和集成電路晶圓廠能夠更高效地辨識光刻中顯著并嚴重損害成品率的缺陷。
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