壓焊后FDW256P要求有一些步驟以完成封裝工作。接著傳統(tǒng)的連線壓焊和單個封裝工藝描述封裝步驟。它們大部分必須在凸點或倒裝焊和載帶自動焊工藝的某點進行。

在傳統(tǒng)芯片封裝的工藝中一個重要的步驟是封裝前或封帽前的檢查，有時稱為第三次目檢（third optical inspection），在線壓焊完成后進行。

檢查的目的是對已進行過的工藝質(zhì)量進行反饋。同時還可以挑出那些有潛在可靠性隱患的待封裝芯片，避免芯片在以后的使用過程中失效。

單片技術(shù)是在晶圓制造過程中建立多個電路層。每個電路層之間使用金屬塞或多個金屬層通過技術(shù)。

將單個芯片封裝體安裝在印制電路板上存在一些問題。一個芯片封裝體的單位面積是芯片本身面積的數(shù)倍，在印制電路板上占有大量空間。

FMB2227電路阻抗由于封裝體所有引腳的累積阻抗，以及電路通路的長度由于芯片數(shù)目的增加和器件引腳的增加而成倍增長。將多個芯片安裝在同一襯底上時，就可以減少上述每一個問題。多芯片模塊( MCM)利用插入凸點和引線鍵合垂直、水平地連接到各個芯片上。

一種進擇是依賴晶圓電測的結(jié)果來驗證芯片的性能。遺憾的是，晶圓電測不包括環(huán)境性測試或長時間的可靠性測試。然而，對裸芯片進行可靠性測試是很困難的。

晶圓上晶圓具有不同電路的單個晶圓被減薄，凸點或焊球鍵合在一起。3D分離把三維堆疊的全部互連。有些系統(tǒng)利用鉆通孔或刻蝕穿透晶圓使其可以鍵合，稱為穿透硅通孑L( TSV)。

其他排列將不同尺寸芯片引線鍵合到封裝體的基板；另一個方案是對于凸點或焊球鍵合單個晶圓，和對于封裝體的額外的連接也使用引線鍵合。

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