MOV的觸發(fā)速度要比氣體等離子體避雷器快一個數(shù)量級
發(fā)布時間:2023/11/8 23:28:29 訪問次數(shù):42
電路保護主要有兩種形式:過壓保護和過流保護。選擇適當?shù)碾娐繁Wo器件是實現(xiàn)高效、可靠電路保護設(shè)計的關(guān)鍵,涉及到電路保護器件的選型,我們就必須要知道各電路保護器件的作用。
GDT的觸發(fā)電壓由信號電壓的上升速率(dV/dt)、GDT的電極間隔、氣體類型以及氣體壓力共同確定。該器件可以承受高達20kA的電流。
RTS5400符合現(xiàn)行Type-C的最新規(guī)格,并可支持USB3.1 Gen2的各種功能,讓開發(fā)者易于設(shè)計,同時易于節(jié)省開發(fā)成本,幫助客戶創(chuàng)造出更精美小巧差異化的產(chǎn)品。
在正常工作情況下,MOV的典型漏電流為10mA量級,并聯(lián)電容約為45pF。電壓升高到超過MOV閾值,就會使其中一個分布式齊納二極管產(chǎn)生雪崩,因而使該器件對被保護的節(jié)點進行箝位。不斷增加的電流最終使器件兩端的電壓上升——這是大多數(shù)批量材料都有的一個限制因素。
在容許MOV的漏電和并聯(lián)電容的應(yīng)用場合(如電源、POTS和工業(yè)傳感器),MOV可配合GDT,對閃電引起的瞬變進行良好的二次防護,因為MOV的觸發(fā)速度要比氣體等離子體避雷器快一個數(shù)量級。反復(fù)出現(xiàn)的過熱應(yīng)力的累積會使MOV過熱,降低其性能。
壓敏電阻的響應(yīng)時間為ns級,比空氣放電管快,比TVS管稍慢一些,一般情況下用于電子電路的過電壓保護其響應(yīng)速度可以滿足要求。
壓敏電阻的結(jié)電容一般在幾百到幾千Pf的數(shù)量級范圍,很多情況下不宜直接應(yīng)用在高頻信號線路的保護中,應(yīng)用在交流電路的保護中時,因為其結(jié)電容較大會增加漏電流,在設(shè)計防護電路時需要充分考慮。壓敏電阻的通流容量較大,但比氣體放電管小。
在反應(yīng)時間上,壓敏電阻介于TVS管和氣體放電管之間,TVS管為皮秒級,壓敏電阻略慢,為納秒級;而氣體放電管最慢,通常為幾十個納秒甚至更多。
電路保護主要有兩種形式:過壓保護和過流保護。選擇適當?shù)碾娐繁Wo器件是實現(xiàn)高效、可靠電路保護設(shè)計的關(guān)鍵,涉及到電路保護器件的選型,我們就必須要知道各電路保護器件的作用。
GDT的觸發(fā)電壓由信號電壓的上升速率(dV/dt)、GDT的電極間隔、氣體類型以及氣體壓力共同確定。該器件可以承受高達20kA的電流。
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在正常工作情況下,MOV的典型漏電流為10mA量級,并聯(lián)電容約為45pF。電壓升高到超過MOV閾值,就會使其中一個分布式齊納二極管產(chǎn)生雪崩,因而使該器件對被保護的節(jié)點進行箝位。不斷增加的電流最終使器件兩端的電壓上升——這是大多數(shù)批量材料都有的一個限制因素。
在容許MOV的漏電和并聯(lián)電容的應(yīng)用場合(如電源、POTS和工業(yè)傳感器),MOV可配合GDT,對閃電引起的瞬變進行良好的二次防護,因為MOV的觸發(fā)速度要比氣體等離子體避雷器快一個數(shù)量級。反復(fù)出現(xiàn)的過熱應(yīng)力的累積會使MOV過熱,降低其性能。
壓敏電阻的響應(yīng)時間為ns級,比空氣放電管快,比TVS管稍慢一些,一般情況下用于電子電路的過電壓保護其響應(yīng)速度可以滿足要求。
壓敏電阻的結(jié)電容一般在幾百到幾千Pf的數(shù)量級范圍,很多情況下不宜直接應(yīng)用在高頻信號線路的保護中,應(yīng)用在交流電路的保護中時,因為其結(jié)電容較大會增加漏電流,在設(shè)計防護電路時需要充分考慮。壓敏電阻的通流容量較大,但比氣體放電管小。
在反應(yīng)時間上,壓敏電阻介于TVS管和氣體放電管之間,TVS管為皮秒級,壓敏電阻略慢,為納秒級;而氣體放電管最慢,通常為幾十個納秒甚至更多。
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