熱增強(qiáng)型5毫米x6毫米QFN封裝，尺寸比其它分立式解決方案小30%，僅為315mm2。這兩款器件是首批集成TI NexFET技術(shù)的產(chǎn)品，可提高熱性能、保護(hù)功能、效率以及可靠性。

NexFET功率塊支持多相位50A、100A及更強(qiáng)電流,除SWIFT轉(zhuǎn)換器的強(qiáng)電流性能之外，CSD86350Q5D NexFET功率塊還可在更強(qiáng)電流下實(shí)現(xiàn)高效率的多相位負(fù)載點(diǎn)設(shè)計(jì)。

CSD86350Q5D在25A電流下效率超過90%，且還能與TPS40140堆棧控制器相結(jié)合，在保持整個(gè)負(fù)載高效率的同時(shí)，支持多相位設(shè)計(jì);其電流可擴(kuò)展至50A、100A以及更高。

晶體振蕩器是首批結(jié)合Fox突破性專利XPRESSO技術(shù)，并具備滿足嚴(yán)苛的3.3V(±5%標(biāo)準(zhǔn))以太網(wǎng)專用需求特性要求的器件，可以確保達(dá)到最高的性能，并節(jié)省與定制產(chǎn)品相關(guān)的等待時(shí)間。

XpressO振蕩器系列以低成本快速提供低抖動(dòng)、小尺寸封裝及多種頻率和多種頻率和輸出選擇。此外，它更采用了一系列由Fox設(shè)計(jì)和開發(fā)的專用集成電路 (ASIC) 專利，尤其側(cè)重于降噪技術(shù)。

集成FET的業(yè)界最小型、最高效率的降壓轉(zhuǎn)換器，可為電信、網(wǎng)絡(luò)以及其它應(yīng)用提供高達(dá)25A的電流。

25A，14V的TPS56221集成NexFET MOSFET且簡單易用，與SWIFT開關(guān)轉(zhuǎn)換器同步，可在12V輸入至1.3V 輸出的高負(fù)載條件下，同時(shí)實(shí)現(xiàn)超過200W/in3的功率密度以及超過90%的效率，從而可在500kHz 開關(guān)頻率下提供高達(dá)25A的持續(xù)輸出電流。

最新TPS56121 15A、14V同步開關(guān)轉(zhuǎn)換器與其它同類產(chǎn)品相比，不但可在5V輸入至1.2V輸出下將效率提高3%，而且還可將開關(guān)速度提高2倍。

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