汽車級InnoSwitch3-AQ器件可以從400V母線提供100W的輸出功率，并且具備與800V電動汽車系統所用的廣受歡迎的1700V碳化硅InnoSwitch3-AQ IC類似的性能和保護功能。

新款900V InnoSwitch3-EP和InnoSwitch3-AQ恒壓/恒流離線反激式開關IC采用同步整流、波谷開通的非連續導通模式(DCM)和連續導通模式(CCM)的反激式控制器。FluxLink™通信技術可使IC封裝位于安規隔離帶上，從而提高效率并省去光耦器。

900V的PowiGaN開關非常有用，因為它可以輕松應對汽車環境中經常出現的高電感噪聲尖峰。

WT7162RHSG08多模反激式PWM控制器和Transphorm的240毫歐650伏SuperGaN® FET。表面貼裝器件采用24引腳8x8 QFN封裝，可減少印刷電路板尺寸。

其它主要規格包括：

峰值功率效率：>93%

功率密度：26W/in3

寬輸出電壓操作：USB-C PD 3.0和PPS 3.3V~21V

最大頻率：180kHz

目標拓撲結構：QR反激模式/谷值開關多模操作

系統級封裝(SiP)的氮化鎵電源控制芯片,用于適配器USB PD控制器IC的全球領導者之一.

WT7162RHUG24A電源轉換器控制芯片，設計用于為智能手機、平板電腦、筆記本電腦和其它智能設備充電的45至100瓦USB-C PD電源適配器。峰值功率效率超過93%。

從事混合信號/數字IC產品的規劃、設計、測試、應用開發和分銷，產品用于電源、電機控制、圖像處理等多個應用領域。向市場推出該SiP新品，標志偉詮電子取得一項重大成就，GaN SiP對AC-DC電源市場的承諾——使用Transphorm的SuperGaN®技術提供完整的系統級解決方案。

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