在大約5平方毫米的薄硅片上制作數百個電路，需要非常精密的生產技術。芯片上的元件是用微米測量的，定位時的精密度為1-2毫米。

用離子植入法將摻雜物摻入硅中構成元件的n型和p型部分，在硅片上形成元件。此時硅片上部是鋁連接層，兩層連接層之間被二氧化硅絕緣層隔開。鋁連接層由蒸發工藝生成，有掩模確定它的走線。

當整個制造過程完成以后，使用電探針對每一個芯片進行檢驗。將不合格的產品淘汰，其它產品進行封裝后在不同溫度及環境條件下的檢驗，最終成為出廠的芯片。

電路在基射極間串接一只二極管，因此使得可令基極電流導通的輸入電壓值提升了0.7V,如此即使Vm值由于信號源的誤動作而接近0.7V時，也不致使三極管導通，因此開關仍可處于截止狀態。

電源適配器在正常運行時的測試結果及效率如表所示。其高效率（通常是95%）不但能降低汽車電池的負荷，同時也降低了適配器內部的功耗。PCB尺寸比筆記本本身的電源適配器要小。

LM1117IMPX-3.3/NOPB

器件的重復精度小于測量范圍的0.1%，線性偏差不到滿刻度的1%。它在每個端盲區僅為20.5mm，使其易于應用在受限空間。

芯片的代碼用兩種信號表示，即電壓信號代碼。它包括兩種狀態，被分別稱為高電平和低電平狀態，也可以用數字表示這兩種信號，即用“1”表示高電壓信號，用“0”表示低電壓信號（“1”和“0”在二進制代碼中叫做“位”(bit, binary digits 的縮寫)）。

這兩種狀態分別用VIH和HIL兩個電壓域值表示,且VIH>HIL。VIH被稱為高邏輯閥,HIL被稱為低邏輯閥。

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