在電路中使用P溝道MOSFET時，先為柵極、源極和漏極端建立適當的偏置條件非常重要。柵源電壓(VGS)在控制MOSFET導通方面起著關鍵作用。對于P溝道MOSFET，柵極電壓必須比源極電壓低，并且差值需至少等于MOSFET閾值電壓。

對于P溝道MOSFET， (VGS(th))通常指定為負值，表示相對于源極而言，柵極電壓需要足夠低才能導通。另一個重要考慮因素是漏源電壓(VDS)，這是施加在漏極和源極端子上的電壓。MOSFET必須在規定的VDS限值內工作，以防止損壞器件。

Modbus命令的處理完全由微控制器控制。微控制器可以為OCP規范認為必要的所有基本Modbus命令提供支持。這些命令有權更改模塊的設置，或提供有關電池SOC、運行狀況、電芯電壓水平、充電和放電電流以及其他參數的重要信息。微控制器驗證消息后，就會根據收到的命令做出響應。

高端輸入開關可以是N溝道或P溝道MOSFET。柵極電壓較低時，N溝道MOSFET開關斷開，電源電壓連接隨之斷開。要使N溝道MOSFET完全閉合并將電源連接到下游電子系統，柵極電壓必須比電源電壓高，并且差值需至少等于MOSFET閾值電壓。

XC2S50-5TQ144C

此外，機架到PC的通信是通過ADM2561完成的，ADM2561通過DB9(D-Subminiature)連接器和RJ45互聯網端口連接到主機PC。

猜測輻射環測試時會同時覆蓋住AFE、連接器和FPC，該FPC走線呈現線圈狀和少數cell在連接器處的分開走線會導致電磁效應，這可能會干擾采樣。

同時200Hz到2kHz的噪聲，ADC 7KHz模式可能無法濾除，IC內部的ADC有可選的濾波模式，同步嘗試更改ADC 1KHz模式，觀察是否會改善測試結果。

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