電子注入和擴散可以通過控制基區的電流來調節集電區的電流

發布時間:2024/9/10 23:44:39 訪問次數:104

BJT是一種三層結構的半導體元件，由兩個PN結連接而成。它的核心部件是由一塊n型半導體材料和兩塊p型半導體材料組成的三層結構，其中中間的n型半導體區域稱為基區（Base），兩側的p型半導體區域稱為發射區（Emitter）和集電區（Collector）。

當發射極向基極注入電子時,這些電子會在基區中擴散,并與基區中的空穴復合,產生大量的少數載流子。

當控制基區的電流時，由于基區帶電荷的變化，它將影響發射區中的載流子注入和集電區中的載流子吸收，從而使集電電流隨之變化。

根據所選用不同量程選擇合適標度尺，例如 0.25V、2.5V、250V量程可選用0-50-100-150-200-250標度尺。1V、10V、1000V量程可選用0-2-4-6-8-10標度尺，50V、500V量程可選用0-10-20-30-40-50標度尺。因為這樣讀數比較容易、方便。

讀數時視線應正對指針，即只能看見指針實物而不能看見指針在弧形反光鏡中的像所讀出的值。

如果被測的直流電壓大于1000V時，則可將1000V擋擴展為2500V擋。方法很簡單，將轉換開關置 1000V 量程，紅表筆從原來的"+"插孔中取出，插入標有2500V的插孔中即可測2500V以下的高電壓。

這些載流子被從基區的另一端，即集電區吸收，從而形成集電電流。由于基區的厚度很薄，因此它的電阻很小，可以忽略不計。

TMF8806強化單區檢測功能，其標準模式下檢測范圍可擴展至1cm至2.5m，遠程模式更可達5m。

BJT的工作原理基于PN結的電子注入和擴散，它可以通過控制基區的電流來調節集電區的電流，從而實現信號的放大和控制。

因此，BJT可以用作放大器和開關等電路中的控制元件。

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