鐵電存儲器在儀表中的應用
發(fā)布時間:2007/4/23 0:00:00 訪問次數(shù):2785
摘要:FRAM 是一種新型存貯器,最大特點是可以隨總線速度無限次的擦寫,而且功耗低。FRAM性能優(yōu)越于EEPROM AT24C256。
關鍵詞:存貯器;FM24C256;AT24C256;EEPROM
一. 概述:
FRAM是最近幾年由RAMTRON公司研制的新型存貯器,它的核心技術是鐵電晶體材料,擁有隨即存取記憶體和非易失性存貯產(chǎn)品的特性。FM24C256是一種鐵電存貯器(FRAM),容量為256KBIT存貯器,它和AT24C256容量等同,總線結構兼容,但FM24C256的性能指標遠大于AT24C256。在存貯器領域中,F(xiàn)M24C256應用逐漸被推廣和認可,尤其是大容量存貯器,它的優(yōu)良特性遠高于同等容量的EEPROM。在電子式電能表行業(yè)中,數(shù)據(jù)安全保存是最重要的。隨著電子表功能的發(fā)展,保存的數(shù)據(jù)量越來越大,這就需要大容量的存儲器,而大容量的EEPROM性能指標不是很高,尤其是擦寫次數(shù)和速度影響電能表自身的質量。FM24C256在電能表中的使用,會提高電能表的數(shù)據(jù)安全存貯特性。
二. 鐵電存貯器(FRAM)FM24C256的特性:
傳統(tǒng)半導體記憶體有兩大體系:易失性記憶體(volatile memory)和非易失性記憶體(non-volatile memory)。
易失性記憶體像SRAM和DRAM在沒有電源的情況下都不能保存數(shù)據(jù)。但這種存貯器擁有高性能、易用等優(yōu)點。
非易失性記憶體像EPROM,EEPROM和FLASH 能在斷電后仍保存數(shù)據(jù)。但由于所有這些記憶體均起源自ROM技術,所以不難想象得到他們都有不易寫入的缺點:寫入緩慢、讀寫次數(shù)低、寫入時工耗大等。
FM24C256是一個256Kbit 的FRAM,總線頻率最高可達1MHz,10億次以上的讀寫次數(shù),工耗低。與典型的EEPROM AT24C256相比較,F(xiàn)M24C256可跟隨總線速度寫入,無須等待時間,而AT24C256必須等待幾毫秒(ms)才能進行下一步寫操作。FM24C256可讀寫10億次以上,幾乎無限次讀寫。而AT24C256只有10萬之一百萬次讀寫。另外,AT24C256讀寫能量高出FM24C256有2,500倍。從比較中看出,F(xiàn)M24C256包含了RAM技術優(yōu)點,同時擁有ROM技術的非易失性特點。
三. FM24C256的應用:
在儀表設計中,數(shù)據(jù)的安全存貯非常重要。如電子式電能表,它在運行期間時刻都在記錄數(shù)據(jù),
如果功能設計比較多,那么保存的數(shù)據(jù)量大,擦寫次數(shù)比較多。這要求有一個高性能的存貯器才能滿足要求,F(xiàn)在的儀表設計,壽命要求長,數(shù)據(jù)保存安全期長。目前,F(xiàn)M24C256是非常適合儀表設計要求的存貯器。它的性能指標完全達到設計要求,解決了儀表中的設計憂慮。更重要的是,它的存貯時間短,能夠在極短的時間內(nèi)保存大量數(shù)據(jù),解決了儀表在突然斷電時數(shù)據(jù)及時、安全的存貯。RAMTRON公司研制的FM24C256,為了普及使用,存貯指令和AT24C256兼容,只是在讀寫指令和應答是不需要延時,提高了擦寫速率。封裝體積、功能管角和AT24C256一樣,使設計者容易接受和運用。
寫子程序:
WRITE:
CLR1 PM.3 ;;設置P4.3為輸出狀態(tài)
CLR1 P4.2
CLR1 P4.3
CLR1 P4.1 ;;打開寫保護
CALL !SENDSTART ;;發(fā)送起始位
MOV A,#10100000B
CALL !SENDCOM ;;發(fā)送寫命令
BC $WNOACKX ;;沒應答則錯誤返回
NOP
CLR1 P4.2
CLR1 PM4.3 ;; 設置P4.3為輸出狀態(tài)
MOV A,D ;;D中存放所寫單元高地址
CALL !SENDCOM ;;發(fā)送所寫單元高地址
BC $WNOACKX ;;;沒應答則錯誤返回
CLR1 PM4.3 ;; 設置P4.3為輸出狀態(tài)
MOV A,E ;;;;E中存放所寫單元低地址
CALL !SENDCOM ;;發(fā)送所寫單元低地址
BC $WNOACKX ;;沒應答則錯誤返回
CLR1 PM4.3 ;; 設置P4.3為輸出狀態(tài)
MOV A,[HL] ;;[HL] 中存放所寫數(shù)據(jù)
CALL !A24SENDC ;;發(fā)送所寫數(shù)據(jù)
CLR1 CY
&nbs
摘要:FRAM 是一種新型存貯器,最大特點是可以隨總線速度無限次的擦寫,而且功耗低。FRAM性能優(yōu)越于EEPROM AT24C256。
關鍵詞:存貯器;FM24C256;AT24C256;EEPROM
一. 概述:
FRAM是最近幾年由RAMTRON公司研制的新型存貯器,它的核心技術是鐵電晶體材料,擁有隨即存取記憶體和非易失性存貯產(chǎn)品的特性。FM24C256是一種鐵電存貯器(FRAM),容量為256KBIT存貯器,它和AT24C256容量等同,總線結構兼容,但FM24C256的性能指標遠大于AT24C256。在存貯器領域中,F(xiàn)M24C256應用逐漸被推廣和認可,尤其是大容量存貯器,它的優(yōu)良特性遠高于同等容量的EEPROM。在電子式電能表行業(yè)中,數(shù)據(jù)安全保存是最重要的。隨著電子表功能的發(fā)展,保存的數(shù)據(jù)量越來越大,這就需要大容量的存儲器,而大容量的EEPROM性能指標不是很高,尤其是擦寫次數(shù)和速度影響電能表自身的質量。FM24C256在電能表中的使用,會提高電能表的數(shù)據(jù)安全存貯特性。
二. 鐵電存貯器(FRAM)FM24C256的特性:
傳統(tǒng)半導體記憶體有兩大體系:易失性記憶體(volatile memory)和非易失性記憶體(non-volatile memory)。
易失性記憶體像SRAM和DRAM在沒有電源的情況下都不能保存數(shù)據(jù)。但這種存貯器擁有高性能、易用等優(yōu)點。
非易失性記憶體像EPROM,EEPROM和FLASH 能在斷電后仍保存數(shù)據(jù)。但由于所有這些記憶體均起源自ROM技術,所以不難想象得到他們都有不易寫入的缺點:寫入緩慢、讀寫次數(shù)低、寫入時工耗大等。
FM24C256是一個256Kbit 的FRAM,總線頻率最高可達1MHz,10億次以上的讀寫次數(shù),工耗低。與典型的EEPROM AT24C256相比較,F(xiàn)M24C256可跟隨總線速度寫入,無須等待時間,而AT24C256必須等待幾毫秒(ms)才能進行下一步寫操作。FM24C256可讀寫10億次以上,幾乎無限次讀寫。而AT24C256只有10萬之一百萬次讀寫。另外,AT24C256讀寫能量高出FM24C256有2,500倍。從比較中看出,F(xiàn)M24C256包含了RAM技術優(yōu)點,同時擁有ROM技術的非易失性特點。
三. FM24C256的應用:
在儀表設計中,數(shù)據(jù)的安全存貯非常重要。如電子式電能表,它在運行期間時刻都在記錄數(shù)據(jù),
如果功能設計比較多,那么保存的數(shù)據(jù)量大,擦寫次數(shù)比較多。這要求有一個高性能的存貯器才能滿足要求,F(xiàn)在的儀表設計,壽命要求長,數(shù)據(jù)保存安全期長。目前,F(xiàn)M24C256是非常適合儀表設計要求的存貯器。它的性能指標完全達到設計要求,解決了儀表中的設計憂慮。更重要的是,它的存貯時間短,能夠在極短的時間內(nèi)保存大量數(shù)據(jù),解決了儀表在突然斷電時數(shù)據(jù)及時、安全的存貯。RAMTRON公司研制的FM24C256,為了普及使用,存貯指令和AT24C256兼容,只是在讀寫指令和應答是不需要延時,提高了擦寫速率。封裝體積、功能管角和AT24C256一樣,使設計者容易接受和運用。
寫子程序:
WRITE:
CLR1 PM.3 ;;設置P4.3為輸出狀態(tài)
CLR1 P4.2
CLR1 P4.3
CLR1 P4.1 ;;打開寫保護
CALL !SENDSTART ;;發(fā)送起始位
MOV A,#10100000B
CALL !SENDCOM ;;發(fā)送寫命令
BC $WNOACKX ;;沒應答則錯誤返回
NOP
CLR1 P4.2
CLR1 PM4.3 ;; 設置P4.3為輸出狀態(tài)
MOV A,D ;;D中存放所寫單元高地址
CALL !SENDCOM ;;發(fā)送所寫單元高地址
BC $WNOACKX ;;;沒應答則錯誤返回
CLR1 PM4.3 ;; 設置P4.3為輸出狀態(tài)
MOV A,E ;;;;E中存放所寫單元低地址
CALL !SENDCOM ;;發(fā)送所寫單元低地址
BC $WNOACKX ;;沒應答則錯誤返回
CLR1 PM4.3 ;; 設置P4.3為輸出狀態(tài)
MOV A,[HL] ;;[HL] 中存放所寫數(shù)據(jù)
CALL !A24SENDC ;;發(fā)送所寫數(shù)據(jù)
CLR1 CY
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