變?nèi)荻䴓O管主要參數(shù)
發(fā)布時間:2011/9/1 16:02:00 訪問次數(shù):3417
變?nèi)荻䴓O管是利用PN結(jié)的結(jié)電容可變的原理制成的半導(dǎo)體器件,變?nèi)荻䴓O管的外形及伏安特性與普通二極管沒有什么區(qū)別,不同的是變?nèi)荻䴓O管PN結(jié)的勢壘電容能靈敏地隨變?nèi)荻䴓O管外加反向偏置電壓的變化而改變。從PN結(jié)的原理可知,結(jié)電容的大小與反向偏壓的大小有關(guān),反向偏壓越高,結(jié)電容越小,反之結(jié)電容越大。偏壓與結(jié)電容之間的關(guān)系是非線性的,如圖5-41所示。 PCA9551PW
變?nèi)荻䴓O管的主要參數(shù),其中一些和普通二極管的參數(shù)意義相同,不同的參數(shù)主要有以下幾個。
①擊穿電壓。指變?nèi)荻䴓O管發(fā)生雪崩擊穿時的電壓值,它決定了變?nèi)荻䴓O管控制頻率的上限,也就是決定了最小結(jié)電容。
②結(jié)電容的變化范圍。指在工作電壓范圍內(nèi)的結(jié)電容變化范圍。
③電容比。指在結(jié)電容的范圍內(nèi),最大電容與最小電容之比。
④Q值。它是變?nèi)荻䴓O管的品質(zhì)因數(shù),反映了變?nèi)荻䴓O管的回路損耗特性。一般Q值在幾十到一二百之間。當(dāng)Q值下降到等于1時,相應(yīng)的頻率叫截止頻率fo,即
fo=1/2πCjRs
式中,Cj為二極管的結(jié)電容;Rs為二極管的串接電阻,包括接線屯阻和體電阻。
變?nèi)荻䴓O管是利用PN結(jié)的結(jié)電容可變的原理制成的半導(dǎo)體器件,變?nèi)荻䴓O管的外形及伏安特性與普通二極管沒有什么區(qū)別,不同的是變?nèi)荻䴓O管PN結(jié)的勢壘電容能靈敏地隨變?nèi)荻䴓O管外加反向偏置電壓的變化而改變。從PN結(jié)的原理可知,結(jié)電容的大小與反向偏壓的大小有關(guān),反向偏壓越高,結(jié)電容越小,反之結(jié)電容越大。偏壓與結(jié)電容之間的關(guān)系是非線性的,如圖5-41所示。 PCA9551PW
變?nèi)荻䴓O管的主要參數(shù),其中一些和普通二極管的參數(shù)意義相同,不同的參數(shù)主要有以下幾個。
①擊穿電壓。指變?nèi)荻䴓O管發(fā)生雪崩擊穿時的電壓值,它決定了變?nèi)荻䴓O管控制頻率的上限,也就是決定了最小結(jié)電容。
②結(jié)電容的變化范圍。指在工作電壓范圍內(nèi)的結(jié)電容變化范圍。
③電容比。指在結(jié)電容的范圍內(nèi),最大電容與最小電容之比。
④Q值。它是變?nèi)荻䴓O管的品質(zhì)因數(shù),反映了變?nèi)荻䴓O管的回路損耗特性。一般Q值在幾十到一二百之間。當(dāng)Q值下降到等于1時,相應(yīng)的頻率叫截止頻率fo,即
fo=1/2πCjRs
式中,Cj為二極管的結(jié)電容;Rs為二極管的串接電阻,包括接線屯阻和體電阻。
上一篇:調(diào)頻波的幅度與特點
上一篇:鑒頻電路
熱門點擊
- 功率放大器的工作原理
- 薄膜形成工藝
- 脈搏波的特性
- 如何安裝戶內(nèi)LED顯示屏?
- 變?nèi)荻䴓O管主要參數(shù)
- 撓性板
- 摻雜工藝
- LED護欄管由哪幾個部分組成?
- 微連接、精密連接與微電子焊接
- 電子組裝基板
推薦技術(shù)資料
- 自制智能型ICL7135
- 表頭使ff11CL7135作為ADC,ICL7135是... [詳細]
- 新品4MP圖像傳感器̴
- 高性能SoC智能傳感芯片技術(shù)設(shè)
- 分立器件&無源元件選型參數(shù)技術(shù)
- SRAM存算一體芯片發(fā)展趨勢及市場應(yīng)用
- 大功率雙向 48 V-12 V DC/D C
- 單速率(Single Rate
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究