半導體存儲器的種類很多，按采用元件來分，有雙極型和MOS型兩大類。
    雙極型存儲器以雙極型觸發(fā)器為基本存儲單元，其工作速度快，但功耗大，主要用于對速度要求高的場合；MOS型存儲器以MOS觸發(fā)器或電荷存儲結(jié)構(gòu)為存儲單元，它具有集成度高、功耗小、工藝簡單等特點，主要用于大容暈存儲系統(tǒng)中。目前數(shù)字系統(tǒng)中主要選用MOS型存儲器。按存取信息方式分，有只讀存儲器ROM (Read-Only Memory)和隨機存取存儲器RAM (Random Access Memory)兩大類。     DFB2040 
    只讀存儲器ROM在正常工作時只能讀出信息，而不能寫入信息。ROM的信息是在制造時用專門的寫入裝置寫入的并可長期保留，即斷電后器件中的信息不會消失，因此也稱為非易失性存儲器。ROM又可分為掩膜ROM、可編程ROM(Programmable Read-OnlyMemory，簡稱PROM)和可擦除的可編程ROM(Erasable Programmable Read-Only Memory，簡稱EPROM)。
    隨機存取存儲器RAM正常工作時可以隨時寫入或讀出信息，但斷電后器件中的信息也隨之消失，因此也禰為易失性存儲器。RAM又可分為靜態(tài)存儲器SRAM (Static Random Access Memory)和動態(tài)存儲器DRAM (Dynamic Random Access Memory)兩類。DRAM的存儲單元結(jié)構(gòu)非常簡單，其集成度遠高于SRAM，但它的存取速度不如SRAM快。
    存儲器的存儲容量和存取時間是反映系統(tǒng)性能的兩個重要指標。存儲容量指存儲器所能存放的信息的多少，存儲容量越大，說明存儲的信息越多，系統(tǒng)的功能越強。存儲器的容量一般用字數(shù)N同字長M的乘積即N×M來表示，如1K×8表明該存儲器有1024個存儲單元，每一單元存放八位二進制信息。存取時間一般用讀/寫周期來描述。讀/寫周期越短，即存取時間越短，存儲器的工作速度就越高。    DM3730CBP

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