雙極型晶體管( BJT)的基本結(jié)構(gòu)決定了它的工作特性。在本節(jié)中，你將會(huì)學(xué)習(xí)到如何利用半導(dǎo)體材料形成晶體管，你也會(huì)學(xué)習(xí)到標(biāo)準(zhǔn)的晶體管符號(hào)。
    在學(xué)完這一節(jié)后，你應(yīng)該能夠：說(shuō)明BJT（雙極型晶體管）的基本結(jié)構(gòu)；解釋NPN和PNP晶體管之間結(jié)構(gòu)上的差異；辨識(shí)NPN和PNP晶體管的符號(hào)；說(shuō)出BJT的三個(gè)區(qū)域和它們的表示方式。
    BJT(雙極型晶體管)是由三個(gè)摻入雜質(zhì)的半導(dǎo)體區(qū)域組成，這些區(qū)域由兩個(gè)PN結(jié)隔離，如圖4.1(a)中的延伸平面構(gòu)造所示。這三個(gè)區(qū)域稱為發(fā)射極( emitter)、基極(base)和集電極(collector)。兩種類(lèi)型BJT的構(gòu)造，實(shí)物顯示于圖4.1(b)和4.1(c)中。一種類(lèi)型是由兩個(gè)N型區(qū)域，中間由一個(gè)P型區(qū)域隔開(kāi)(NPN)；另一種則是由兩個(gè)P型區(qū)域，中間夾著一層N區(qū)域(PNP)所組成。

              
    連接基極區(qū)域和發(fā)射極區(qū)域的PN結(jié)，稱為基極一發(fā)射板結(jié)(base-emitter junction)。介于基極區(qū)域和集電極區(qū)域的PN結(jié)，稱為基極一集電極結(jié)(base-collector junction)，如圖4.1(b)中所示。如圖所示，有導(dǎo)線引腳分別連接到這三個(gè)區(qū)域，這些引腳標(biāo)示為E、B和C，分別代表發(fā)射極、基極和集電極。（基極的厚度比起發(fā)射極和集電極薄很多，且其摻雜濃度比起高濃度的發(fā)射極和中濃度集電極來(lái)得較低些。）（這種結(jié)構(gòu)上的原理將在下一節(jié)介紹。）
    圖4.2顯示NPN和PNP雙極型晶體管的電路符號(hào)。 HCF4520BM1雙極代表的是在晶體管構(gòu)造中，同時(shí)使用“空穴”和“電子”當(dāng)作載流子。